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发明公开
一种半导体器件及其制造方法、电子装置有权

公开(公告)号：CN105448724A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410419891.4

申请日：2014-08-22

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 李伟 , 郝龙 , 刘杰 , 金炎 , 马强 , 任占强

IPC: H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构和侧壁结构，在栅极结构的顶部以及半导体衬底中的源/漏区的顶部形成有硅化物；依次沉积层间隔离层和层间绝缘层，以覆盖半导体衬底、硅化物和侧壁结构；形成电性连接栅极结构区或源/漏区的接触塞，制作第一层金属布线；沉积用于阻挡后段工艺产生的电浆损伤的阻挡层，覆盖第一层金属布线；沉积金属间绝缘层，覆盖所述阻挡层。根据本发明，通过在第一层金属布线和金属间绝缘层之间增加用于阻挡后段工艺产生的电浆损伤的阻挡层并改进沉积所述阻挡层的工艺条件，可以有效降低所述电浆损伤，改善栅极氧化层的可靠性。

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