公开(公告)号：CN102097299A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010547290.3

申请日：2010-11-16

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 高向东 ,  唐剑平 ,  张明 ,  吴晓鸫

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/223

摘要： 本发明涉及一种厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置有相应氧化物结构；b、在上述衬底的氧化物结构上淀积多晶电阻材料，淀积多晶电阻材料时，根据所需多晶的厚度，将所述上述多晶电阻材料均分多次淀积；c、在上述衬底上形成所需厚度的多晶电阻后，在多晶电阻内进行含磷气体掺杂；d、去除上述多晶电阻上形成的PSG。本发明根据厚多晶电阻的厚度要求，采用多次均匀淀积的方式得到所需厚度的厚多晶电阻，可以减轻炉内副产物的堆积和对泵等硬件的损耗，提高生产稳定性，所有步骤都参照常规工艺，操作简单；多晶掺杂采用饱和掺杂使杂质在晶粒间和晶粒间隙同时扩散，并且分布均匀，片内片间及稳定性都达到生产要求。

公开(公告)号：CN102097299B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201010547290.3

申请日：2010-11-16

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 高向东 ,  唐剑平 ,  张明 ,  吴晓鸫

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/223

摘要： 本发明涉及一种厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置有相应氧化物结构；b、在上述衬底的氧化物结构上淀积多晶电阻材料，淀积多晶电阻材料时，根据所需多晶的厚度，将所述上述多晶电阻材料均分多次淀积；c、在上述衬底上形成所需厚度的多晶电阻后，在多晶电阻内进行含磷气体掺杂；d、去除上述多晶电阻上形成的PSG。本发明根据厚多晶电阻的厚度要求，采用多次均匀淀积的方式得到所需厚度的厚多晶电阻，可以减轻炉内副产物的堆积和对泵等硬件的损耗，提高生产稳定性，所有步骤都参照常规工艺，操作简单；多晶掺杂采用饱和掺杂使杂质在晶粒间和晶粒间隙同时扩散，并且分布均匀，片内片间及稳定性都达到生产要求。

公开(公告)号：CN103681243B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310719996.7

申请日：2013-12-23

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 孙建洁 ,  唐剑平 ,  吴建伟 ,  吴晓鸫

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明涉及一种用于改善SOI衬底表面损伤的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）在SOI衬底上表面热氧化生成掩蔽氧化层，温度为850±10℃，时间为30±1分钟，掩蔽氧化层的厚度为15±1 nm；（2）向掩蔽氧化层注入元素Ar，注入能量为200±2 keV，注入剂量为1×1015±0.05×1015；（3）将SOI衬底分别采用常规3#和1#清洗液进行清洗；（4）退火：将SOI衬底在纯氮气气氛下进行退火，退火温度为950±5℃，时间为30±1分钟；（5）重复步骤（2）～步骤（4）的操作10～20次；（6）将SOI衬底在质量百分浓度为0.5%～10%的氢氟酸中漂洗2～10分钟，去除掩蔽氧化层；再在清水中漂洗干净后甩干。本发明能够降低注入对衬底的损伤，改善衬底沾污和损伤问题。

公开(公告)号：CN105448978A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201610008449.1

申请日：2016-01-06

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 于宗光 ,  马慧红 ,  李海欧 ,  黄伟 ,  王成 ,  顾爱军 ,  唐剑平

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66462

摘要： 本发明公开了一种用于硅衬底集成mHEMT器件的外延层结构及其生长方法，属于高性能半导体集成的技术领域。外延层结构，包括：P型硅衬底，以及，在P型硅衬底层上依次生长形成的：GaAs成核层、第六缓冲层、第五缓冲层、InGaAs应力释放层、第四缓存层、第三缓冲层、第二缓存层、第一缓冲层、InGaAs沟道层、InAlAs隔离层、硅delta掺杂层、InAlAs势垒层、重掺杂了硅的InGaAs帽层，第一缓冲层为高温InAlAs缓冲层，第二缓冲层为低温变组分InAlAs缓存层，第五缓冲层、第三缓冲层均为高温InP缓冲层，第六缓冲层、第四缓冲层均为低温InP缓冲层。利用本发明的外延层结构成功外延了二维电子气浓度高且沟道电子迁移率大的mHEMT器件。

公开(公告)号：CN103681881A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310699798.9

申请日：2013-12-18

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 张明 ,  高向东 ,  唐剑平 ,  潘建华

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/6609

摘要： 本发明涉及一种高可靠可堆叠高速SOI二极管，包括SOI基底；其特征是：在所述SOI基底上部Si层设置第一导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区由SOI基底上表面向SOI基底中部的SiO2层延伸；在所述SOI基底的上表面设置第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上设置环状沟槽，沟槽由第一导电类型外延层的上表面延伸至SOI基底中部的SiO2层，在沟槽内填充多晶硅，在沟槽的侧壁与多晶硅之间设置第一氧化硅层；在所述沟槽的上表面分别设置第二氧化硅层；在所述沟槽两侧的第一导电类型外延层和SOI基底上设置第一导电类型掺杂区，在第一导电类型外延层的上部设置第二导电类型掺杂区。本发明克服现有SOI二极管在频率和耐压方面的缺点，实现高速高可靠SOI二极管。

公开(公告)号：CN103681243A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310719996.7

申请日：2013-12-23

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 孙建洁 ,  唐剑平 ,  吴建伟 ,  吴晓鸫

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02096 ,  H01L21/02052

摘要： 本发明涉及一种用于改善SOI衬底表面损伤的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）在SOI衬底上表面热氧化生成掩蔽氧化层，温度为850±10℃，时间为30±1分钟，掩蔽氧化层的厚度为15±1nm；（2）向掩蔽氧化层注入元素Ar，注入能量为200±2keV，注入剂量为1×1015±0.05×1015；（3）将SOI衬底分别采用常规3#和1#清洗液进行清洗；（4）退火：将SOI衬底在纯氮气气氛下进行退火，退火温度为950±5℃，时间为30±1分钟；（5）重复步骤（2）～步骤（4）的操作10～20次；（6）将SOI衬底在质量百分浓度为0.5%～10%的氢氟酸中漂洗2～10分钟，去除掩蔽氧化层；再在清水中漂洗干净后甩干。本发明能够降低注入对衬底的损伤，改善衬底沾污和损伤问题。