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公开(公告)号：CN103824568A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210465887.2
申请日：2012-11-16
CPC classification number: G11B5/3173 , G11B5/102 , G11B5/314 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明公开一种用于热辅助磁头滑动块，包括：衬底，衬底具有光源模块以及面向磁性记录媒介表面的空气承载面；读部分，读部分具有读元件；以及写部分，写部分包括写元件、用于引导由光源模块产生的光的波导路，以及设置于写元件和波导路附近的等离子体激元单元，等离子体激元单元具有近场光产生表面以传播近场光至空气承载面。其中，读部分的媒介面向表面上覆盖具有第一厚度和第一光吸收系数的第一表层，写部分的媒介面向表面上覆盖具有第二厚度和第二光吸收系数的第二表层，其中，第二厚度大于第一厚度，第二光吸收系数小于第一光吸收系数。本发明能保护写部分并提高读部分的读取性能。本发明还公开了磁头折片组合、硬盘驱动器及制造方法。
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公开(公告)号：CN103824568B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201210465887.2
申请日：2012-11-16
CPC classification number: G11B5/3173 , G11B5/102 , G11B5/314 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明公开一种用于热辅助磁头滑动块，包括：衬底，衬底具有光源模块以及面向磁性记录媒介表面的空气承载面；读部分，读部分具有读元件；以及写部分，写部分包括写元件、用于引导由光源模块产生的光的波导路，以及设置于写元件和波导路附近的等离子体激元单元，等离子体激元单元具有近场光产生表面以传播近场光至空气承载面。其中，读部分的媒介面向表面上覆盖具有第一厚度和第一光吸收系数的第一表层，写部分的媒介面向表面上覆盖具有第二厚度和第二光吸收系数的第二表层，其中，第二厚度大于第一厚度，第二光吸收系数小于第一光吸收系数。本发明能保护写部分并提高读部分的读取性能。本发明还公开了磁头折片组合、硬盘驱动器及制造方法。
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公开(公告)号：CN111145788A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811303168.4
申请日：2018-11-02
Applicant: 新科实业有限公司
IPC: G11B5/48
Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁记录头及热辅助磁记录磁盘驱动器，该热辅助磁记录头包括滑块主体、激光基板、激光器和磁头，所述激光基板设置在滑块主体上，所述激光器设置在所述激光基板上，所述磁头设置在所述滑块主体的前端，所述磁头包括正对所述激光器的光波导路，所述光波导路的入光面与激光入射到所述光波导路的入射方向的夹角小于90度；该磁盘驱动器包括多个磁盘和磁头悬架，所述磁头悬架的前端设置有如以上所述的热辅助磁记录头。在本发明的热辅助磁记录头中，由于光波导路的入光面与入射方向的夹角小于90度，入光面的反射光线不会沿入射方向返回激光器，可以改善激光发射不稳定和抑制跳模。
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公开(公告)号：CN103811027B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201210452363.X
申请日：2012-11-13
Applicant: 新科实业有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于热辅助磁头滑动块的写元件，包括：面向磁性记录媒介的空气承载面；第一磁极、第二磁极以及层夹于所述第一磁极和第二磁极之间的线圈；波导路，用于引导由安装于热辅助磁头滑动块的衬底之上的光源模块产生的光；以及设置于所述第一磁极和所述波导路附近的等离子体激元单元，所述等离子体激元单元具有一近场光产生表面以传播近场光至所述空气承载面。其中，所述等离子体激元单元的所述近场光产生表面与所述空气承载面相距第一预定距离以形成第一凹陷，且所述第一凹陷填充有保护层。本发明能防止等离子体激元单元凸伸出空气承载面，从而改善热辅助磁头滑动块的性能。本发明还公开了热辅助磁头滑动块、磁头折片组合、硬盘驱动器及制造方法。
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公开(公告)号：CN101465125A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710305024.8
申请日：2007-12-18
Applicant: 新科实业有限公司
Inventor： 藤井隆司 , 黄坚辉 , 杨少辉 , 清水达也 , 比纳罗·安东尼·雷蒙·麦拉德
Abstract: 本发明提供一种在制造高可靠性磁头滑块的同时，还能够简化该磁头滑块的制造工序、并能缩短制造时间及制造成本的磁头滑块的制造方法。本发明所涉及的磁头滑块的制造方法，是包括层积形成具有读取元件及/或写入元件、以及对该读取元件及/或写入元件进行磁性屏蔽的磁性屏蔽层的磁头部之层积形成工序，并从层积形成有磁头部的层积体中切割出磁头滑块的一种方法，该方法还包括：在层积形成工序结束后进行的屏蔽层端部除去工序，以此除去位于磁头滑块飞行面侧的磁性屏蔽层之宽度方向的端部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1885410A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510078489.5
申请日：2005-06-20
Abstract: 本发明公开了一种磁头的制造方法。其中所述磁头包括连接以凸部形式设置在与存储介质对着的空气支承面上的读写部24与位于空气流进入方向侧的凹部26的倾斜部6。该倾斜部6包括与读写部24的表面相连的类似直线状的第一倾斜部61与凹部26相连的类似直线状的第二倾斜部62，并且，相对于第一倾斜部的凹部26的第一倾斜角θ1大于相对于第二倾斜部62的凹部26的第二倾斜角θ2。
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公开(公告)号：CN117409821A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210793047.2
申请日：2022-07-07
Applicant: 新科实业有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有保护层体的装置，包括：衬底、形成在所述衬底上的种子层以及形成在所述种子层上的类金刚石碳层；其中，所述种子层为氮化硅层，所述氮化硅层中氮的含量为9％‑17％。本发明还公开一种微波辅助磁记录磁头滑块、磁头折片组合及磁盘驱动单元。该装置具有良好的热稳定性、抗氧化性能、耐腐蚀，从而提高微波辅助磁记录磁头的可靠性及其使用寿命。
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公开(公告)号：CN103811027A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210452363.X
申请日：2012-11-13
Applicant: 新科实业有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于热辅助磁头滑动块的写元件，包括：面向磁性记录媒介的空气承载面；第一磁极、第二磁极以及层夹于所述第一磁极和第二磁极之间的线圈；波导路，用于引导由安装于热辅助磁头滑动块的衬底之上的光源模块产生的光；以及设置于所述第一磁极和所述波导路附近的等离子体激元单元，所述等离子体激元单元具有一近场光产生表面以传播近场光至所述空气承载面。其中，所述等离子体激元单元的所述近场光产生表面与所述空气承载面相距第一预定距离以形成第一凹陷，且所述第一凹陷填充有保护层。本发明能防止等离子体激元单元凸伸出空气承载面，从而改善热辅助磁头滑动块的性能。本发明还公开了热辅助磁头滑动块、磁头折片组合、硬盘驱动器及制造方法。
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公开(公告)号：CN101465125B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710305024.8
申请日：2007-12-18
Applicant: 新科实业有限公司
Inventor： 藤井隆司 , 黄坚辉 , 杨少辉 , 清水达也 , 比纳罗·安东尼·雷蒙·麦拉德
Abstract: 本发明提供一种在制造高可靠性磁头滑块的同时，还能够简化该磁头滑块的制造工序、并能缩短制造时间及制造成本的磁头滑块的制造方法。本发明所涉及的磁头滑块的制造方法，是包括层积形成具有读取元件及/或写入元件、以及对该读取元件及/或写入元件进行磁性屏蔽的磁性屏蔽层的磁头部之层积形成工序，并从层积形成有磁头部的层积体中切割出磁头滑块的一种方法，该方法还包括：在层积形成工序结束后进行的屏蔽层端部除去工序，以此除去位于磁头滑块飞行面侧的磁性屏蔽层之宽度方向的端部，该屏蔽层端部除去工序包括：在磁头滑块的飞行面上形成覆盖读取元件及/或写入元件和除磁性屏蔽层宽度方向端部之外的中央部分的掩膜之掩膜形成工序、从飞行面侧起除去未被掩膜覆盖的部分至规定深度的除去工序。
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公开(公告)号：CN205810377U
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201620308544.9
申请日：2016-04-13
Applicant: 新科实业有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于磁头的磁头保护膜，包括金属层、金属氧化物层、DLC层及氟化碳层，所述金属层层压于磁头或长形条上，所述金属氧化物层层压于所述金属层；其中，所述金属氧化物层与所述金属层为同一金属元素，所述DLC层层压于所述金属氧化物层，所述氟化碳层层压于所述DLC层。本实用新型实施例的磁头保护膜，能够获得高粘附性、高耐热性和低表面能，在磁头使用过程中能够有效保护磁头，防止周围环境对磁头的侵蚀影响。本实用新型还公开了设有所述磁头保护膜的磁头、设有所述磁头的折片组合和磁盘驱动器。
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