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公开(公告)号：CN116770113A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210232400.X
申请日：2022-03-08
申请人： 新疆众和股份有限公司
IPC分类号： C22C1/03
摘要： 本发明公开了一种高纯铝基中间合金的制备方法，属于金属材料技术领域。该方法包括：S1、原料准备：以铝基中间合金作为制备原料，原料中主合金元素的平衡分配系数K0＞1；S2、熔化控温：将铝基中间合金熔化并保温，熔化和保温温度为该铝基中间合金液相线以上40‑370℃，保温时间10‑30min；S3、偏析提纯：达到保温时间后，对所得铝合金熔液进行偏析处理，即得到所述高纯铝基中间合金。本发明方法在保证铝基合金主元素占比同时，获得比熔融铝液纯度更高的铝基中间合金。
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公开(公告)号：CN111719059B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010527438.0
申请日：2020-06-11
申请人： 新疆众和股份有限公司
摘要： 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，包括：S10配制中间合金：所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金；S20：将所述的中间合金与99.9995％纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融，完全熔融后，得合金液；所述的合金液中硅含量为0.9‑1.1wt％，铜含量为0.45‑0.55wt％；S30：将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼；S40：将经过在线精炼的合金液进行双极过滤；S50：将经过双级过滤的合金液进行φ120‑164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，制备的溅射用高纯AL‑1wt％Si‑0.5wt％Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低，溅射成膜性能好，且成分均匀。
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公开(公告)号：CN113466322A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110671077.1
申请日：2021-06-17
申请人： 新疆众和股份有限公司
IPC分类号： G01N27/68 , G01N33/2028 , G01N33/205 , G01N1/44 , C22B21/00
摘要： 本发明为一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法，所述的检测方法为：将固态的高纯铝成分检测后，放入坩埚中加热熔融，再每隔30min取样1次，检测高纯铝液的成分，最后根据所需分析元素，逐一计算其污染程度；其中，所述的坩埚采用接触材质制备而成；若接触材料无法制备成坩埚状，则将接触材料与高纯铝一起置于纯度99.9wt％以上纯度的刚玉坩埚进行加热熔融。本发明所述的一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法，通过材质在高温铝液内浸泡后对铝液的污染程度来实现材质的检测及评价。
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公开(公告)号：CN113174487A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110392864.2
申请日：2021-04-13
申请人： 新疆众和股份有限公司
摘要： 本发明为一种液晶面板用铝残靶的回收方法。一种液晶面板用铝残靶的回收方法，包括以下步骤：(1)从铝残靶中取小样，去除小样表面的焊剂粘附层；(2)测定步骤(1)处理后小样的焊剂粘附深度；(3)根据所述的小样测定得到的焊剂粘附深度，对铝残靶进行四面打磨；(4)对步骤(3)处理后的铝残靶进行碱洗；(5)对步骤(4)处理后的铝残靶进行清洗；(6)烘干。本发明采用辉光放电质朴仪激发的方式测定表面铟含量厚度，则可对应制定打磨工艺，确保残留焊剂的完全去除；打磨结合碱洗的处理工艺效率高，清洗效果更佳，可有效保障回配原料的纯净度。
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公开(公告)号：CN111719059A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010527438.0
申请日：2020-06-11
申请人： 新疆众和股份有限公司
摘要： 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，包括：S10配制中间合金：所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金；S20：将所述的中间合金与99.9995％纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融，完全熔融后，得合金液；所述的合金液中硅含量为0.9-1.1wt％，铜含量为0.45-0.55wt％；S30：将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼；S40：将经过在线精炼的合金液进行双极过滤；S50：将经过双级过滤的合金液进行φ120-164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，制备的溅射用高纯AL-1wt％Si-0.5wt％Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低，溅射成膜性能好，且成分均匀。
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公开(公告)号：CN117904467A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311761913.0
申请日：2023-12-19
申请人： 新疆众和股份有限公司
摘要： 本发明公开一种大规格7系铝合金铸锭的制备方法，包括：按照7系铝合金的元素组成配置原料，并熔炼得到铝合金液；对所述铝合金液进行精炼处理，再将所述铝合金液在磁场作用下进行半连续铸造成型，并在铸造成型过程中进行铺底操作和铺顶操作，使铝合金铸锭的两端均形成纯铝层和过渡层，得到φ600mm以上的大规格铝合金铸锭。本发明还公开一种大规格7系铝合金铸锭。本发明的方法无开裂风险，制得的铝合金铸锭晶粒细小，综合性能高。
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公开(公告)号：CN116944438A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310957804.X
申请日：2023-08-01
申请人： 新疆众和股份有限公司
IPC分类号： B22D11/115 , C22C1/06 , B22D11/119 , C22C1/03 , C22C21/08 , C22C21/04
摘要： 本发明提供了一种铝合金铸锭及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：按照铝合金铸锭的元素组成配置各原料；将所述各原料混合熔融，制备铝合金液；对所述铝合金液进行精炼处理和化学细化处理，得到高洁净铝合金液；将所述高洁净铝合金液进行半连续铸造成型，得到铝合金铸锭；所述铸造成型在磁场作用下进行，所述磁场作用能够使所述高洁净铝合金液在所述铸造成型的过程中形成周向运动。
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公开(公告)号：CN115808079A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111078862.2
申请日：2021-09-15
申请人： 新疆众和股份有限公司
IPC分类号： F27B14/04 , F27B14/06 , F27B14/08 , F27B14/10 , F27B14/14 , F27B14/20 , B22D35/04 , C22C1/02 , C22C1/03 , C22C1/06 , C22C21/00
摘要： 本发明公开了一种真空炉用无落差暗流浇铸的方法及设备，属于高纯铝真空冶炼技术领域。该设备包括真空中频熔炼炉、石墨坩埚、出铝溜槽、旋转溜槽和固定溜槽；所述真空中频熔炼炉的筒状炉体内放置石墨坩埚，石墨坩埚的上端设有坩埚上沿，坩埚上沿上开设竖直方向贯通的缺口形成流液通道，流液通道依次连接出铝溜槽、真空挡板阀、旋转溜槽和固定溜槽；铝熔体浇注时，真空中频熔炼炉炉体倾转，石墨坩埚中的铝熔体经流液通道流出，再经浇注组件直至结晶器完成无落差落铸。本发明通过真空炉配套无落差出铝溜槽的结构设计及特定工艺能够控制熔炼及浇铸过程熔体的稳定状态，避免熔体落差及扰动等造成气渣卷入，最终实现低气低渣的高品质高纯铝产品制备。
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公开(公告)号：CN113466322B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110671077.1
申请日：2021-06-17
申请人： 新疆众和股份有限公司
IPC分类号： G01N27/68 , G01N33/2028 , G01N33/205 , G01N1/44 , C22B21/00
摘要： 本发明为一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法，所述的检测方法为：将固态的高纯铝成分检测后，放入坩埚中加热熔融，再每隔30min取样1次，检测高纯铝液的成分，最后根据所需分析元素，逐一计算其污染程度；其中，所述的坩埚采用接触材质制备而成；若接触材料无法制备成坩埚状，则将接触材料与高纯铝一起置于纯度99.9wt％以上纯度的刚玉坩埚进行加热熔融。本发明所述的一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法，通过材质在高温铝液内浸泡后对铝液的污染程度来实现材质的检测及评价。
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公开(公告)号：CN113444931B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110703339.8
申请日：2021-06-24
申请人： 新疆众和股份有限公司
摘要： 本发明为一种中子探测器中构架用铝片及其制备工艺。一种中子探测器中构架用铝片的制备工艺，包括：(1)将高纯铝锭熔融后，一次精炼，得熔体1；(2)加入高纯镁锭，熔融后，得熔体2；(3)所述的熔体2进行二次精炼，得熔体3；(4)所述的熔体3进行在线精炼，得熔体4；(5)所述的熔体4进行双级板式过滤，得熔体5；(6)铸造，得扁锭；(7)铣面后，经过热轧、冷轧处理，得箔片；(8)将所述的箔片清洗后，得所述的中子探测器中构架用铝片。本发明采用高纯铝添加高纯镁锭配置高纯铝镁合金熔体，通过精炼、过滤除气除渣处理后铸造铝镁扁锭；再将铝镁扁锭经过冷轧、热轧、清洗后，获得纯度及强度满足中子探测器使用需求的箔片。
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