旋转铝靶材及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116904941A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310836114.9

    申请日:2023-07-10

    IPC分类号: C23C14/34 C22F1/04 B23P15/00

    摘要: 本发明提供了一种旋转铝靶材及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供高纯铝铸锭;对所述高纯铝铸锭进行冷锻造处理,得到第一锻坯;对所述第一锻坯进行车削处理,得到第二锻坯;将所述第二锻坯在50℃~60℃温度下进行去应力退火处理1h~2h;对所述去应力退火后的第二锻坯进行穿孔挤压处理,得到第一铝管坯;其中,穿孔针的温度为350℃~450℃,挤压筒的温度为350℃~450℃,挤压速度为0.5m/s~1.5m/s;将所述第一铝管坯在280℃~320℃温度下进行再结晶退火处理3h~6h,得到旋转铝靶材。本发明的制备方法对原材料高纯铝铸锭的晶粒度要求较低,可以采用晶粒度较大的高纯铝铸锭制备得到内部无缺陷、组织致密、均匀性好、平均晶粒度<100μm的旋转铝靶材,能够满足客户法使用需求,适于工业化批量生产。

    一种高纯铝连续晶析提纯方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116240395A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202211399007.6

    申请日:2022-11-09

    IPC分类号: C22B21/06 C22B9/05

    摘要: 本发明公开一种高纯铝连续晶析提纯方法,包括:S1,将含铝液体倒入晶析坩埚,并控制含铝液体的温度处于铝液液相线以上;S2,将晶析轴缓慢插入含铝液体中;S3,向晶析坩埚内通入保护气体,搅拌含铝液体,并旋转晶析轴,以及,向晶析轴内通入冷却气体,开始晶析,得到晶析锭;S4,晶析完毕后,将晶析锭随晶析轴从晶析坩埚中提出,熔化,铸造成锭,得到高纯铝。本发明方法生产效率高,工艺可控性高,稳定性好,尤其适合连续批量化生产。

    一种溅射残靶的处理系统
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117259290A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202210672246.8

    申请日:2022-06-14

    摘要: 本发明公开一种溅射残靶的处理系统,包括材料架、转运装置、酸洗单元、水洗单元、喷淋单元、以及干燥处理单元,所述材料架,用于码放溅射残靶;所述转运装置,用于移动所述材料架,以使溅射残靶和材料架一起进出所述酸洗单元、所述水洗单元、所述喷淋单元、以及所述干燥处理单元;所述酸洗单元,用于对溅射残靶进行酸洗,以溶解溅射残靶上的焊料;所述水洗单元,用于接收酸洗单元处理后的溅射残靶并对其进行超声清洗;所述喷淋单元,用于接收水洗单元处理后的溅射残靶并对其进行高压水喷淋;所述干燥处理单元,用于接收喷淋单元处理后的溅射残靶并对其进行风切烘干。本发明清除效率高,操作简单,能够实现对溅射残靶的高品质、高效率回收。

    一种高纯铝基中间合金的制备方法

    公开(公告)号:CN116770113A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202210232400.X

    申请日:2022-03-08

    IPC分类号: C22C1/03

    摘要: 本发明公开了一种高纯铝基中间合金的制备方法,属于金属材料技术领域。该方法包括:S1、原料准备:以铝基中间合金作为制备原料,原料中主合金元素的平衡分配系数K0>1;S2、熔化控温:将铝基中间合金熔化并保温,熔化和保温温度为该铝基中间合金液相线以上40‑370℃,保温时间10‑30min;S3、偏析提纯:达到保温时间后,对所得铝合金熔液进行偏析处理,即得到所述高纯铝基中间合金。本发明方法在保证铝基合金主元素占比同时,获得比熔融铝液纯度更高的铝基中间合金。

    一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法

    公开(公告)号:CN111719059B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202010527438.0

    申请日:2020-06-11

    摘要: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,包括:S10配制中间合金:所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金;S20:将所述的中间合金与99.9995%纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融,完全熔融后,得合金液;所述的合金液中硅含量为0.9‑1.1wt%,铜含量为0.45‑0.55wt%;S30:将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼;S40:将经过在线精炼的合金液进行双极过滤;S50:将经过双级过滤的合金液进行φ120‑164mm棒材坯料铸造,得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,制备的溅射用高纯AL‑1wt%Si‑0.5wt%Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低,溅射成膜性能好,且成分均匀。

    一种液晶面板用铝残靶的回收方法

    公开(公告)号:CN113174487A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110392864.2

    申请日:2021-04-13

    IPC分类号: C22B7/00 C22B21/00

    摘要: 本发明为一种液晶面板用铝残靶的回收方法。一种液晶面板用铝残靶的回收方法,包括以下步骤:(1)从铝残靶中取小样,去除小样表面的焊剂粘附层;(2)测定步骤(1)处理后小样的焊剂粘附深度;(3)根据所述的小样测定得到的焊剂粘附深度,对铝残靶进行四面打磨;(4)对步骤(3)处理后的铝残靶进行碱洗;(5)对步骤(4)处理后的铝残靶进行清洗;(6)烘干。本发明采用辉光放电质朴仪激发的方式测定表面铟含量厚度,则可对应制定打磨工艺,确保残留焊剂的完全去除;打磨结合碱洗的处理工艺效率高,清洗效果更佳,可有效保障回配原料的纯净度。

    一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法

    公开(公告)号:CN111719059A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010527438.0

    申请日:2020-06-11

    摘要: 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,包括:S10配制中间合金:所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金;S20:将所述的中间合金与99.9995%纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融,完全熔融后,得合金液;所述的合金液中硅含量为0.9-1.1wt%,铜含量为0.45-0.55wt%;S30:将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼;S40:将经过在线精炼的合金液进行双极过滤;S50:将经过双级过滤的合金液进行φ120-164mm棒材坯料铸造,得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法,制备的溅射用高纯AL-1wt%Si-0.5wt%Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低,溅射成膜性能好,且成分均匀。