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公开(公告)号：CN101164236A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200580046456.0
申请日：2005-10-06
IPC: H03L7/093
CPC classification number: H03L7/18 , H03L7/0895
Abstract: 本发明为一种频率合成器与用在频率合成器的充电泵，其包括：与门(AND)电路，其是根据由相位比较器的升(UP)端子与降(DowN)端子所输出的信号而检测出频率合成器是否为锁定状态；切换电路，其是根据与门电路的输出信号，切换构成充电泵(chargePumP)电路的定电流电路有无连接；当通过与门电路检测出充电泵电路的高阻抗状态时，则通过切换电路切换定电流电路的连接，依此不使用如断电信号或间歇信号般的来自外部的控制信号，即可消除流动在充电泵电路中的电流。
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公开(公告)号：CN100550611C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN02822156.7
申请日：2002-11-12
Inventor： 宫城弘
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G1/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够在半导体衬底上一体形成的自动增益控制电路。AGC电路17控制中频放大电路15的增益，使得AM检波电路16的输出信号(声音信号)的平均电平大致恒定。AGC电路17中包含时间常数电路100。该时间常数电路100设有对该电容器间断地充电的充电电路和间断地放电的放电电路，通过对静电电容小的电容器进行间断性充放电动作，设定大的时间常数。
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公开(公告)号：CN101395806A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200680053675.6
申请日：2006-03-02
Abstract: 目的在于提供一种能够容易连接到已有的计算机等且不需要复杂的操作的FM传送器。FM传送器(100)具有能够连接到作为USB主装置的PC(400)的USB器件功能，具有：电源电路(130)，在PC(400)的USB插口(410)连接有USB插头(110)时，被连接到USB插口(410)的电源销，生成预定的动作电压；USB控制器(120)，要求在由PC400进行的配置中自身装置是器件音源并利用同步传送进行数据的输入输出；发送处理部(140)，能够利用由电源电路(130)供给的动作电压进行动作，对从PC(400)经由所述USB插口(410)所输出的音频数据进行FM调制并进行发送。
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公开(公告)号：CN101356726A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050404.5
申请日：2006-09-21
IPC: H03G5/16
Abstract: 具有并联连接于预增强电路(2)的输出的LPF(3)和HPF(4)、通过HPF(4)对频带进行低通滤波器的增益调整的增益调整电路(6)，预增强电路(2)所输出的基频信号的频带内的低频侧的成分通过LPF(3)，高频侧的成分通过HPF(4)，同时对于HPF(4)的输出，藉由增益调整电路(6)抑制通过HPF(4)，特别是在高频侧的增益，不使用限制器将基频信号的振幅只限制在高频范围内，而且也不会使基频信号的峰值超过最大频移。
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公开(公告)号：CN100508407C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN02813226.2
申请日：2002-06-24
Inventor： 宫城弘
Abstract: 本发明的目的在于提供一种接收机，当使用CMOS工艺或MOS工艺在半导体衬底上一体形成时，可以降低所产生的低频噪声。构成FM接收机的高频放大电路(11)、混频电路(12)、本机振荡器(13)、中频滤波器(14、16)、中频放大器(15)、限幅电路(17)、FM检波电路(18)和立体声解调电路(19)作为单芯片元件(10)形成。该单芯片元件(10)使用CMOS工艺或MOS工艺在半导体衬底上形成，使用p沟道FET形成混频电路(12)、中频滤波器(14、16)、中频放大器(15)和本机振荡器(13)所包含的放大元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100490306C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN01821352.9
申请日：2001-12-27
IPC: H03F1/26
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F3/193 , H03F3/1935 , H03F2200/324 , H03F2200/372 , H03F2200/541
Abstract: 一种AM广播用放大电路，是用场效应晶体管对所输入的AM广播信号进行放大并输出的AM广播用放大电路，以闪变噪声较小的P沟道MOS半导体场效应晶体管(4、5)构成该信号放大用场效应晶体管，以实现不仅可以尽可能抑制闪变噪声的发生，还可以将AM广播用射频放大器与其他电路一起集成于一个芯片上，从而实现整体电路的小型化与低噪声化。
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公开(公告)号：CN101223749A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200680025394.X
申请日：2006-02-08
IPC: H04L27/20
CPC classification number: H04L27/364 , H04L27/206
Abstract: 本发明公开一种调制电路，其中备有：第1正交调制部5，其将输入信号分割成I信号及与其成直角相位之Q信号，且将I信号及Q信号，藉由基频频率进行频率变换，从而进行正交调制；第2正交调制部8，其利用调频频率，并利用相位互相偏移90°的同相及正交的载波，对藉由第1正交调制部5所产生的I信号及Q信号，进行频率变换，从而进行正交调制；再藉由第2正交调制部8，对藉由第1正交调制部5使相位偏移90°而产生的I信号和Q信号之相位进一步偏移90°，藉此具有相位反转的频率成分，可使目标频率的失真侧中多余的高次谐波成分衰减。
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公开(公告)号：CN101142744A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200680007746.9
申请日：2006-02-24
IPC: H03M1/12 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H03M1/0827 , H04B1/40 , H04B15/00
Abstract: 本发明旨在提供一种可防止混入噪声使信号质量下降并同时缩小电路规模的半导体装置。在半导体基片上形成进行接收和发送这两方动作的收发机的结构，上述接收动作和上述发送动作各自一部分通过模拟处理进行，另一部分通过数字处理进行。与上述接收动作和上述发送动作各自对应的上述数字处理通过共用数字处理部20进行。另外，与上述接收动作对应的接收处理部10配置在矩形形状的上述半导体基片100的一个角部附近，上述数字处理部20配置在与上述一个角部不相邻的另一个角部附近。
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公开(公告)号：CN101611360A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200780045224.2
申请日：2007-11-30
Abstract: 本发明涉及基准电压发生电路。不使用带隙调节器，而是由缓冲放大器(21)及电阻性元件(22)形成基准电压发生电路的基本构成，消除以往那样的带隙调节器的噪声影响。又，设有比较器(23，24)及控制电路(25)，所述比较器比较缓冲放大器(21)的输入电压和带隙调节器(10)的输出电压，所述控制电路(25)根据比较信号，可变地控制电阻性元件(22)的电阻值，即使伴随电源电压(VDD)的变化，缓冲放大器(21)的输出电压(Vout)一时变化，也能通过电阻值的可变控制，使得缓冲放大器(21)的输出电压(Vout)回复收敛到所希望的电压范围内。
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公开(公告)号：CN101416387A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200680054084.0
申请日：2006-11-08
CPC classification number: H03G3/3068 , H04B1/001
Abstract: 对频率混合电路(4)的输出信号进行A/D转换并输入至DSP(8)，生成与该信号的电平相应的AGC控制数据(DL)，控制LNA(3)的增益以使输入至A/D转换电路(7)的输入电压小于该A/D转换电路(7)的满量程电压，由此，超过A/D转换电路(7)的动态范围的过大电平的信号不会输入到A/D转换电路(7)。而且，与通过BPF(11)之前的宽带宽信号的电平相应地来控制LNA(3)的增益，并且与通过BPF(11)之后的窄带宽信号的电平相应地来控制IF放大器(12)的增益，由此，考虑希望波及干扰波二者的信号电平，能够整体上适当地控制AGC的增益。
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