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公开(公告)号:CN1263891C
公开(公告)日:2006-07-12
申请号:CN02801316.6
申请日:2002-04-23
Applicant: 新日本制铁株式会社
CPC classification number: C21D8/1272 , C21D8/1283 , C21D8/1288 , C23C8/02 , C23C8/10 , C23C8/80 , C23C28/04 , C23C28/048 , C23C30/00 , H01F1/14783 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明是采用酸洗等方法除去镁橄榄石或者防止其生成,然后形成赋予张力性绝缘皮膜的单取向硅钢板,其特征在于,在赋予张力性绝缘皮膜与钢板的界面上,具有平均膜厚2nm以上、500nm以下的以非晶质二氧化硅为主体的膜状外部氧化型氧化膜、平均膜厚在上述范围内的以非晶质二氧化硅为主体的膜状外部氧化型二氧化硅与以非晶质二氧化硅为主体的粒状氧化物的混合氧化物中的任1种以上,并且,满足下列任1个以上的要件:规定的相对于膜状氧化膜的粒状氧化物的比例、构成元素的比例、空洞所占的比例、金属铁所占的比例和低密度层的平均厚度。
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公开(公告)号:CN1461357A
公开(公告)日:2003-12-10
申请号:CN02801316.6
申请日:2002-04-23
Applicant: 新日本制铁株式会社
CPC classification number: C21D8/1272 , C21D8/1283 , C21D8/1288 , C23C8/02 , C23C8/10 , C23C8/80 , C23C28/04 , C23C28/048 , C23C30/00 , H01F1/14783 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明是采用酸洗等方法除去镁橄榄石或者防止其生成,然后形成赋予张力性绝缘皮膜的单取向硅钢板,其特征在于,在赋予张力性绝缘皮膜与钢板的界面上,具有平均膜厚2nm以上、500nm以下的以非晶质二氧化硅为主体的膜状外部氧化型氧化膜、平均膜厚在上述范围内的以非晶质二氧化硅为主体的膜状外部氧化型二氧化硅与以非晶质二氧化硅为主体的粒状氧化物的混合氧化物中的任1种以上,并且,满足下列任1个以上的要件:规定的相对于膜状氧化膜的粒状氧化物的比例、构成元素的比例、空洞所占的比例、金属铁所占的比例和低密度层的平均厚度。
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