一种感光干膜质量检测方法

    公开(公告)号:CN118243648B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410687590.3

    申请日:2024-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种感光干膜质量检测方法,属于感光干膜质量检测技术领域。一种感光干膜质量检测方法,包括S1、获取感光干膜样品;S2、制备不同浓度的感光干膜溶液;S3、测量感光干膜溶液在紫外和可见光范围内的吸收特性信息;S4、测量感光干膜溶液的分子量;S5、根据感光干膜溶液在紫外和可见光范围内的吸收特性信息与感光干膜溶液的分子量判断感光干膜质量。通过利用紫外和可见吸收光谱与乌氏粘度计对感光干膜组成成分、组成成分含量以及组成成分的分子量的测定,判定同一类型的不同批次感光干膜的解析性、密着性、显影性、去膜性等关键特性稳定,适配当前生产工艺;避免出现感光干膜质量问题,导致显影/退膜不净、过显影、不完全电镀等问题。

    物联网工业级卡的制备方法

    公开(公告)号:CN113838761A

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN202111398610.8

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明涉及一种物联网工业级卡的制备方法,属于电子信息技术领域。所述方法包括以下步骤:(1)表面清洗;(2)压干膜;(3)曝光;(4)显影;(5)蚀刻;(6)电镀;(7)切断;(8)检验;(9)包装。本发明采用铜箔作为基材,然后根据产品图纸设计,利用高精度蚀刻引线框架,激光直写技术根据图纸样式进行蚀刻加工,然后经过曝光、显影,裸铜产品就可以生产出来,再经过电镀工艺,表面电镀镍钯金,切断、检验、包装得产品。采用该方法制备的物联网工业级卡,成本低,耐腐蚀能力强,硬度高,塑封合格率高。

    具有内伸引脚的引线框架的加工方法

    公开(公告)号:CN119381262A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411931355.2

    申请日:2024-12-26

    Abstract: 本发明提供一种具有内伸引脚的引线框架的加工方法,涉及引线框架加工技术领域。包括步骤一:在铜材正面和铜材背面分别贴覆一层干膜;步骤二:分别照射铜材正面和铜材背面的部分干膜,形成相应的正面聚合抗蚀干膜和背面聚合抗蚀干膜;步骤三:洗掉铜材正面和铜材背面上未曝光的干膜,显露出正面聚合抗蚀干膜和背面聚合抗蚀干膜;步骤四:对铜材正面和铜材背面分别喷淋蚀刻液进行蚀刻,以形成位于铜材正面内侧的若干个内伸引脚。本发明解决了现有技术中通过传统工艺加工具有内伸引脚的引线框架,会使得内伸引脚存在着引脚强度弱、支撑力差的缺陷,以及可能会导致引线框架在封装时焊线异常,最终会影响引线框架的生产效率和产品良率的问题。

    降低蚀刻侧蚀量的防侧蚀剂及其使用方法

    公开(公告)号:CN118272811A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410704010.7

    申请日:2024-06-03

    Abstract: 本发明公开了一种降低蚀刻侧蚀量的防侧蚀剂及其使用方法,它属于化学蚀刻药剂领域,其防侧蚀剂与铜带反应生成的膜结构,通过一定压力的喷淋,可以起到降低蚀刻反应侧蚀量的作用。它主要包括以下组分:氯酸钠15%‑25%;氯化钠5%‑15%;聚乙二醇1%‑2%;咪唑类化合物0.1%‑0.5%:咪唑化合物包括5‑甲基四氮唑与2‑甲基咪唑中的一种或两种、以及苯并咪唑所组成的混合物;超纯水60%‑80%。本发明主要用于降低铜带蚀刻时的侧蚀量。

    一种可回收载带的智能卡及其制备方法

    公开(公告)号:CN117976551A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410389102.0

    申请日:2024-04-02

    Abstract: 本发明涉及智能卡制备技术领域,具体涉及一种可回收载带的智能卡及其制备方法,其制备方法包括以下步骤:铜箔清理—铜箔背面覆过渡膜—压干膜—曝光—显影—蚀刻—退膜—激光冲孔—电镀—正面覆过渡膜—撕膜分切—模块封装—制卡—撕膜。本申请智能卡载带金属层之外不含有不可去除的基材,中间的过渡膜仅在生产过程中起到临时的固定、支撑作用,在最终阶段可以去除,解决现有智能卡载带因环氧树脂玻纤布不可降解回收,不环保的问题。

    自带凸点的智能卡条带及其制备方法

    公开(公告)号:CN119381263A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411946173.2

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本发明涉及智能卡条带技术领域,具体涉及自带凸点的智能卡条带及其制备方法。其方法包括如下步骤:步骤一:准备半成品,半成品包括绝缘层,绝缘层的两面分别设置第一导电层及第二导电层,还包括贯穿绝缘层的孔;步骤二:将第一导电层与第二导电层进行连接;步骤三:在第一导电层与第二导电层上制备导电线路;步骤四:在第二导电层上制备凸点。本申请通过半蚀刻的工艺,在导电层上制作不同高度的导电凸点,该凸点与智能卡条带的导电线路一体成型,无需增加额外的材料成本,避免了在高温、湿度等恶劣环境下,凸点出现裂纹或其他形式损坏而导致的质量问题。

    测定酸性氯化铜蚀刻液中氯离子含量的方法及应用

    公开(公告)号:CN118731271A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410972231.2

    申请日:2024-07-19

    Abstract: 本发明涉及集成电路封装所需材料(金属引线框架)的生产制造技术领域,具体为测定酸性氯化铜蚀刻液中氯离子含量的方法及应用。包括以下步骤:使用移液枪取酸性氯化铜蚀刻液,定容;取出定容稀释后的酸性氯化铜蚀刻液,置于已知重量的离心管中;取硝酸银溶液,加入包含有酸性氯化铜蚀刻液的离心管中;将离心管置于离心机中,离心处理;将离心管的上清液取出;烘干;称取离心管的重量;计算离心管重量的差值,所得重量为沉淀析出的氯化银的重量;计算出氯离子的质量、摩尔质量;之后计算出酸性氯化铜蚀刻液中氯离子含量。本方法能够有效检测酸性氯化铜蚀刻液中氯离子的含量,从而保证生产过程的稳定性,降低产品报废率,从而降低经济损失。

    预电镀引线框架用镍层结构可控的电解液及其制备方法和应用方法

    公开(公告)号:CN118374844B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410840243.X

    申请日:2024-06-27

    Abstract: 本发明涉及集成电路封装测试技术领域,具体为预电镀引线框架用镍层结构可控的电解液及其制备方法和应用方法。所述的预电镀引线框架用镍层结构可控的电解液,由溶质和溶剂组成,所述溶剂为超纯水,所述溶质包括以下质量浓度的原料:开缸剂200‑450g/L、稳定剂20‑45g/L、微结构剂50‑200g/L、分散剂1‑10g/L。通过调控电解液各组分的配比,对引线框架表面沉积的粗糙镍层进行形貌调控,可获得球状结构、网状结构以及锥状结构,因而可以通过对电镀镍层形貌的调控,获得粗糙度差异显著的预电镀引线框架。

    引线框架制作图纸的设计方法

    公开(公告)号:CN118607459A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202411073621.2

    申请日:2024-08-07

    Abstract: 本发明提供一种引线框架制作图纸的设计方法,涉及引线框架制作技术领域。包括步骤S1:根据客户提供的目标产品图纸,获取引线框架需求图案;步骤S2:对引线框架需求图案进行环式处理,以形成引线框架测试图纸;步骤S3:对引线框架测试图纸进行合格性验证;其中,进行环式处理包括形成侧蚀抵消环和在侧蚀抵消环的基础上形成参数兼容环。本发明通过设置形成侧蚀抵消环和参数兼容环的环式处理,能够抵消制作引线框架时侧蚀反应的影响,并且兼容设备参数和干膜参数的影响;基于此,本发明能够提高引线框架产品的合格率和稳定性,并且可以大大节省工作量、提高工作效率,从而能够有效缩短引线框架的制作周期。

    预电镀引线框架用镍层结构可控的电解液及其制备方法和应用方法

    公开(公告)号:CN118374844A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410840243.X

    申请日:2024-06-27

    Abstract: 本发明涉及集成电路封装测试技术领域,具体为预电镀引线框架用镍层结构可控的电解液及其制备方法和应用方法。所述的预电镀引线框架用镍层结构可控的电解液,由溶质和溶剂组成,所述溶剂为超纯水,所述溶质包括以下质量浓度的原料:开缸剂200‑450g/L、稳定剂20‑45g/L、微结构剂50‑200g/L、分散剂1‑10g/L。通过调控电解液各组分的配比,对引线框架表面沉积的粗糙镍层进行形貌调控,可获得球状结构、网状结构以及锥状结构,因而可以通过对电镀镍层形貌的调控,获得粗糙度差异显著的预电镀引线框架。

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