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公开(公告)号：CN118272811A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410704010.7
申请日：2024-06-03
Applicant: 新恒汇电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种降低蚀刻侧蚀量的防侧蚀剂及其使用方法，它属于化学蚀刻药剂领域，其防侧蚀剂与铜带反应生成的膜结构，通过一定压力的喷淋，可以起到降低蚀刻反应侧蚀量的作用。它主要包括以下组分：氯酸钠15%‑25%；氯化钠5%‑15%；聚乙二醇1%‑2%；咪唑类化合物0.1%‑0.5%：咪唑化合物包括5‑甲基四氮唑与2‑甲基咪唑中的一种或两种、以及苯并咪唑所组成的混合物；超纯水60%‑80%。本发明主要用于降低铜带蚀刻时的侧蚀量。
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公开(公告)号：CN118731271A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410972231.2
申请日：2024-07-19
Applicant: 新恒汇电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路封装所需材料（金属引线框架）的生产制造技术领域，具体为测定酸性氯化铜蚀刻液中氯离子含量的方法及应用。包括以下步骤：使用移液枪取酸性氯化铜蚀刻液，定容；取出定容稀释后的酸性氯化铜蚀刻液，置于已知重量的离心管中；取硝酸银溶液，加入包含有酸性氯化铜蚀刻液的离心管中；将离心管置于离心机中，离心处理；将离心管的上清液取出；烘干；称取离心管的重量；计算离心管重量的差值，所得重量为沉淀析出的氯化银的重量；计算出氯离子的质量、摩尔质量；之后计算出酸性氯化铜蚀刻液中氯离子含量。本方法能够有效检测酸性氯化铜蚀刻液中氯离子的含量，从而保证生产过程的稳定性，降低产品报废率，从而降低经济损失。
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公开(公告)号：CN118374844B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410840243.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 新恒汇电子股份有限公司
IPC: C25D3/12
Abstract: 本发明涉及集成电路封装测试技术领域，具体为预电镀引线框架用镍层结构可控的电解液及其制备方法和应用方法。所述的预电镀引线框架用镍层结构可控的电解液，由溶质和溶剂组成，所述溶剂为超纯水，所述溶质包括以下质量浓度的原料：开缸剂200‑450g/L、稳定剂20‑45g/L、微结构剂50‑200g/L、分散剂1‑10g/L。通过调控电解液各组分的配比，对引线框架表面沉积的粗糙镍层进行形貌调控，可获得球状结构、网状结构以及锥状结构，因而可以通过对电镀镍层形貌的调控，获得粗糙度差异显著的预电镀引线框架。
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公开(公告)号：CN118374844A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410840243.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 新恒汇电子股份有限公司
IPC: C25D3/12
Abstract: 本发明涉及集成电路封装测试技术领域，具体为预电镀引线框架用镍层结构可控的电解液及其制备方法和应用方法。所述的预电镀引线框架用镍层结构可控的电解液，由溶质和溶剂组成，所述溶剂为超纯水，所述溶质包括以下质量浓度的原料：开缸剂200‑450g/L、稳定剂20‑45g/L、微结构剂50‑200g/L、分散剂1‑10g/L。通过调控电解液各组分的配比，对引线框架表面沉积的粗糙镍层进行形貌调控，可获得球状结构、网状结构以及锥状结构，因而可以通过对电镀镍层形貌的调控，获得粗糙度差异显著的预电镀引线框架。
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