公开(公告)号：CN102414684A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080017985.9

申请日：2010-03-31

Applicant: 新思科技有限公司

Inventor： J·D·斯普罗施 ,  V·莫罗兹 ,  胥晓鹏 ,  A·P·卡玛卡

IPC: G06F17/50 ,  G06F17/00

CPC classification number: G06F17/5072 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/12 ,  G06F2217/82 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P90/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及表征、考虑或者利用由晶体管附近的TSV所引起的应力的方式。当对电路进行表征时可以将TSV与附近晶体管之间的物理关系考虑在内。为此可以修改在不知晓TSV与附近晶体管之间的物理关系的情况下获得的版图。宏单元可以包括TSV和附近的晶体管这两者，以及将晶体管与TSV之间的物理关系考虑在内的针对宏单元的仿真模型。宏单元可以包括TSV和附近的晶体管这两者，晶体管之一被相对于其他晶体管旋转。IC也可以包括与TSV靠近到使沟道中载流子迁移率改变超过先前所认为的用于限定禁区的限度的晶体管。

公开(公告)号：CN102414684B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201080017985.9

申请日：2010-03-31

Applicant: 新思科技有限公司

Inventor： J·D·斯普罗施 ,  V·莫罗兹 ,  胥晓鹏 ,  A·P·卡玛卡

IPC: G06F17/50 ,  G06F17/00

CPC classification number: G06F17/5072 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/12 ,  G06F2217/82 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P90/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 大体而言，本发明涉及表征、考虑或者利用由晶体管附近的TSV所引起的应力的方式。当对电路进行表征时可以将TSV与附近晶体管之间的物理关系考虑在内。为此可以修改在不知晓TSV与附近晶体管之间的物理关系的情况下获得的版图。宏单元可以包括TSV和附近的晶体管这两者，以及将晶体管与TSV之间的物理关系考虑在内的针对宏单元的仿真模型。宏单元可以包括TSV和附近的晶体管这两者，晶体管之一被相对于其他晶体管旋转。IC也可以包括与TSV靠近到使沟道中载流子迁移率改变超过先前所认为的用于限定禁区的限度的晶体管。