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公开(公告)号：CN113540072B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202110295454.6
申请日：2021-03-19
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Abstract: 本申请涉及静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法，提供一种静电放电(ESD)保护装置，包括具有设置于其中的导电区域的基板，设置在导电区域内的第一终端区域和第二终端区域，以及场分布结构。所述场分布结构可包括设置在位于第一终端区域和第二终端区域之间的导电区域内的中间区域，设置在中间区域上方的隔离元件，设置在隔离元件上方的第一导电板和第二导电板。第一导电板可电性连接第一终端区域，而第二导电板可电性连接第二终端区域。
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公开(公告)号：CN113540072A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110295454.6
申请日：2021-03-19
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Abstract: 本申请涉及静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法，提供一种静电放电(ESD)保护装置，包括具有设置于其中的导电区域的基板，设置在导电区域内的第一终端区域和第二终端区域，以及场分布结构。所述场分布结构可包括设置在位于第一终端区域和第二终端区域之间的导电区域内的中间区域，设置在中间区域上方的隔离元件，设置在隔离元件上方的第一导电板和第二导电板。第一导电板可电性连接第一终端区域，而第二导电板可电性连接第二终端区域。
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公开(公告)号：CN104377163A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410405897.6
申请日：2014-08-18
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/185 , B81B7/0006 , B81C1/00238 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/033 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L23/4827 , H01L24/05 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/2908 , H01L2224/29124 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32502 , H01L2224/85805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012 , H01L21/32051 , H01L21/32055
Abstract: 本发明涉及互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺，揭露一种晶圆键合层及使用晶圆键合层键合晶圆的晶圆键合工艺。该晶圆键合工艺包含设置第一晶圆，设置第二晶圆，及设置晶圆键合层。该晶圆键合层是分开设置在第一和第二晶圆的接触表面层，而成为CMOS相容工艺配方的一部份。
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公开(公告)号：CN102693936A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110419485.4
申请日：2011-12-15
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Inventor： R·K·科特兰特 , R·库马尔 , P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱 , P·R·耶勒汉卡
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/76898 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装件互连结构。是提供支撑基板，其具有第一主要表面及第二主要表面。互连结构是形成穿过于该支撑基板中的该第一主要表面及该第二主要表面。互连结构具有第一部分及第二部分。该第一部分自该第一主要表面或第二主要表面中的一者延伸，该第二部分自该第一主要表面及第二主要表面中的另一者延伸。互连结构包括部分的穿孔栓塞，穿孔栓塞具有于该互连结构的第一部分中的导电材料。穿孔栓塞具有底部，底部是位于该第一部分及该第二部分的接口的附近。以第一极性类型的掺杂物重掺杂该互连结构的第二部分。
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公开(公告)号：CN112750812A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011056092.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其形成方法，其中，一种半导体装置，包括基板；集电极，具有设置在基板内的掩埋层，位于该掩埋层的第一部分上方的第一阱区，以及至少部分地设置在该第一阱区内的第一导电区；基极，具有位于掩埋层的第二部分上方并横向邻接该第一阱区的第二阱区以及至少部分地设置在第二阱区内的第二导电区；发射极，具有至少部分地设置在该第二导电区内的第三导电区；隔离元件，位于该第一导电区和该第三导电区之间；导电板，位于该隔离元件上并电性连接该第一导电区。该掩埋层、该第一阱区、该第一导电区和该第三导电区具有第一导电类型；该第二阱区和该第二导电区具有第二导电类型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107416757B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710295681.2
申请日：2017-04-28
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Inventor： H·坎帕内拉-皮内达 , R·库马尔 , Z·斯比阿 , N·兰加纳坦 , R·P·耶勒汉卡
CPC classification number: B81B7/0064 , B81B7/0022 , H01L23/522
Abstract: 提供具有屏蔽微机电系统(MEMS)装置的集成电路及用于制造屏蔽MEMS装置的方法。在一实施例中，具有屏蔽MEMS装置的集成电路包括：基板；在该基板上方包括导电材料的接地平面；以及在该接地平面上方的介电层。该集成电路更包括在该接地平面上方的MEMS装置。再者，该集成电路包括穿过该介电层且与该接地平面接触的导电柱。该集成电路包括在该MEMS装置上方且与该导电柱接触的金属薄膜，其中该金属薄膜、该导电柱及该接地平面形成包围该MEMS装置的电磁屏蔽结构。此外，该集成电路包括在该基板上方且毗邻该电磁屏蔽结构的声学屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN109775652A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811189719.9
申请日：2018-10-12
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Abstract: 本发明涉及用于MEMS装置的晶圆级封装，揭示微机电系统(MEMS)装置。该MEMS装置包括：具有顶部装置表面及底部装置表面的装置衬底，其具有位于装置区中的MEMS组件。在围绕该装置区的该顶部装置表面上设置顶部装置接合环，且在围绕该装置区的该底部装置表面上设置底部装置接合环。具有顶部覆盖接合环的顶部覆盖层通过顶部共晶接合与该顶部装置接合环接合，且具有底部覆盖接合环的底部覆盖层通过底部共晶接合与该底部装置接合环接合。该共晶接合包覆该MEMS装置。
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公开(公告)号：CN104377163B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201410405897.6
申请日：2014-08-18
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/185 , B81B7/0006 , B81C1/00238 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/033 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L23/4827 , H01L24/05 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/2908 , H01L2224/29124 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32502 , H01L2224/85805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺，揭露一种晶圆键合层及使用晶圆键合层键合晶圆的晶圆键合工艺。该晶圆键合工艺包含设置第一晶圆，设置第二晶圆，及设置晶圆键合层。该晶圆键合层是分开设置在第一和第二晶圆的接触表面层，而成为CMOS相容工艺配方的一部分。
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公开(公告)号：CN102693936B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110419485.4
申请日：2011-12-15
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Inventor： R·K·科特兰特 , R·库马尔 , P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱 , P·R·耶勒汉卡
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/76898 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装件互连结构。是提供支撑基板，其具有第一主要表面及第二主要表面。互连结构是形成穿过于该支撑基板中的该第一主要表面及该第二主要表面。互连结构具有第一部分及第二部分。该第一部分自该第一主要表面或第二主要表面中的一者延伸，该第二部分自该第一主要表面及第二主要表面中的另一者延伸。互连结构包括部分的穿孔栓塞，穿孔栓塞具有于该互连结构的第一部分中的导电材料。穿孔栓塞具有底部，底部是位于该第一部分及该第二部分的接口的附近。以第一极性类型的掺杂物重掺杂该互连结构的第二部分。
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公开(公告)号：CN107394037A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710239774.3
申请日：2017-04-13
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Inventor： 夏佳杰 , M·普拉布哈钱德兰·奈尔 , Z·斯比阿 , R·P·耶勒汉卡 , R·库马尔
IPC: H01L41/083 , H01L41/27 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及压电微机电系统，为一种在通过介电层分离的衬底上包括压电堆栈的微机电系统(MEMS)装置。压电堆栈包括第一压电层与第二压电层，其具有位在第一压电层与接触垫下面的第一电极、以及位在第一压电层与第二压电层间的第二电极。第一接触穿过压电层与接触垫延展至第一电极，而第二接触穿过第二压电层延展至第二电极。接触垫防止接触开口中的第一压电层与第二压电层间形成接口，从而防止压电层在接触形成过程中遭受侵蚀。
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