利用微孔改善毫米波相控阵天线的功率完整性的方法

    公开(公告)号:CN118235529A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202280074600.5

    申请日:2022-09-16

    IPC分类号: H05K1/18

    摘要: 本发明公开了一种毫米波天线,其具有在5G无线电中使用的特定应用。该天线包括厚的铜功率层、形成在厚的功率层的一侧上的第一预浸料层、形成在第一预浸料层的与厚的功率层相背一侧上的信号层、形成在信号层的与第一预浸料层相背一侧上的第二预浸料层,以及形成在第二预浸料层的与信号层相背一侧上的薄的铜功率层。微孔延伸穿过将厚的铜层电耦合到信号层的第一预浸料层,并且微孔延伸穿过将薄的铜层电耦合到信号层的第二预浸料层,其中延伸穿过第一预浸料层的微孔的数量小于延伸穿过第二预浸料层的微孔的数量。

    用于低成本PCB MMWAVE相控阵天线的双背钻过孔

    公开(公告)号:CN118202522A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202280073346.7

    申请日:2022-09-16

    IPC分类号: H01Q1/38 H01Q21/06 H01Q3/00

    摘要: 一种具有在5G无线电中使用的特定应用的mmWave天线。天线包括具有多个层的PCB结构。PCB结构包括第一导通孔和第二导通孔,第一导通孔穿过PCB结构的一侧形成到层中并且填充有第一过孔,第二导通孔穿过PCB结构的相对侧形成到层中并且填充有第二过孔,其中第一过孔和第二过孔通过互连件电耦合。在PCB结构的一侧上形成的半固化片堆积层,以及在PCB结构的相对侧上形成的半固化片堆积层。在PCB结构的一侧上的半固化片堆积层上形成的波束成形IC,以及在PCB结构的相对侧上的半固化片堆积层上形成的天线辐射元件。