公开(公告)号：CN118605367A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202311773567.8

申请日：2023-12-20

申请人： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

发明人： 刘洋 ,  杨萌 ,  马志彬 ,  韩学鹏

IPC分类号： G05B19/05

摘要： 本发明提供了PLC的控制方法。所述PLC的控制方法包括以下步骤：获取第一循环次数、第二循环次数及步骤数量的设定值；获取至少一个执行机构的初始状态参数；判断第一循环次数的设定值是否达到工艺流程的数量；响应于第一循环次数的设置值大于工艺流程的数量，将初始状态参数分别传输到对应工艺流程的循环中，以根据步骤数量及第二循环次数的设定值，执行各工艺流程的首个Loop循环的步骤；响应于在规定时间内收到第一标志信号，将当前状态参数，分别传输到对应工艺流程的下一Loop循环中，以根据步骤数量及第二循环次数的设定值，执行各工艺流程的下一Loop循环的步骤；以及响应于第二标志信号，退出薄膜沉积工艺的Loop循环。

公开(公告)号：CN118563270A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202311773428.5

申请日：2023-12-20

申请人： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

发明人： 刘洋 ,  杨萌 ,  马志彬 ,  韩学鹏

IPC分类号： C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22

摘要： 本发明提供了薄膜沉积方法、薄膜沉积设备及存储介质。所述薄膜沉积方法包括以下步骤：经由PMC模块控制薄膜沉积设备的至少一个执行机构，执行薄膜沉积工艺的至少一个第一流程。所述第一流程具有较长的第一响应时间；响应于切换所述薄膜沉积工艺的第二流程的控制指令，控制PLC模块执行过渡步骤，从所述PMC模块当前的第一控制循环中获取其涉及的各所述执行机构的状态参数，并将其写入所述PLC模块的寄存器中。所述第二流程具有较短的第二响应时间；以及响应于所述PLC模块后续的第二控制循环的触发信号，经由所述PLC模块调用所述寄存器中存储的状态参数，以控制至少一个所述执行机构继续执行所述薄膜沉积工艺的至少一个第二流程。