电磁波屏蔽膜
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109874286B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN201811352511.4

    申请日:2018-11-14

    Abstract: 本发明提供一种实现嵌入性优越的电磁波屏蔽膜。本发明的电磁波屏蔽膜包括导电性胶粘剂层(111)和绝缘保护层(112)。绝缘保护层(112)在120℃、170℃及200℃的储能模量均为8×104Pa以上,损耗模量均为6×104Pa以上。

    电磁波屏蔽膜
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114762470A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202180007123.6

    申请日:2021-01-07

    Abstract: 本发明提供一种即使在导电性胶粘剂层大量配混有导电性粒子时,也能使得透明性优越且连接电阻值低的电磁波屏蔽膜。在本发明电磁波屏蔽膜中,第1绝缘层、透明导电层、第2绝缘层以及导电性胶粘剂层按该顺序层叠,所述透明导电层是由金、银、铜、钯、镍、铝或者上述金属的合金构成的、厚度为5~100nm的金属层,所述第2绝缘层的厚度为50~1000nm,所述导电性胶粘剂层包含粘结剂成分以及球状或树枝状的导电性粒子,相对于所述导电性胶粘剂层100质量%,所述导电性粒子的含有比例为1~80质量%。

    电磁波屏蔽膜
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114762470B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202180007123.6

    申请日:2021-01-07

    Abstract: 本发明提供一种即使在导电性胶粘剂层大量配混有导电性粒子时,也能使得透明性优越且连接电阻值低的电磁波屏蔽膜。在本发明电磁波屏蔽膜中,第1绝缘层、透明导电层、第2绝缘层以及导电性胶粘剂层按该顺序层叠,所述透明导电层是由金、银、铜、钯、镍、铝或者上述金属的合金构成的、厚度为5~100nm的金属层,所述第2绝缘层的厚度为50~1000nm,所述导电性胶粘剂层包含粘结剂成分以及球状或树枝状的导电性粒子,相对于所述导电性胶粘剂层100质量%,所述导电性粒子的含有比例为1~80质量%。

    形状转印膜
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114902819B

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202180007796.1

    申请日:2021-01-08

    Inventor: 梅村滋和

    Abstract: 本发明提供一种形状转印膜,其为含有凹凸形状的形状转印膜,能够通过向转印对象物转印来源于上述凹凸形状的形状来赋予转印对象物充分的遮盖性,且在有意将其从转印对象物剥下时能够轻松地将其剥下。形状转印膜1在至少一面含有界面展开面积比Sdr为1500~7000%和/或中心部的水平差Sk为2.0~7.0μm的凹凸形状,且用于向转印对象物转印来源于上述凹凸形状的形状。形状转印膜1例如包括基板层2和设于基板层2的一面的树脂层3。且形状转印膜1例如含有填料4,上述凹凸形状通过填料4比膜平坦面3a更向外侧突出而形成。

    电磁波屏蔽膜及其制造方法、屏蔽印制线路板的制造方法

    公开(公告)号:CN110876256A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910785812.4

    申请日:2019-08-23

    Inventor: 梅村滋和

    Abstract: 本发明提供一种在制造屏蔽印制线路板时能够使得电磁波屏蔽膜的胶粘剂层和印制线路板的表面之间难以产生缝隙的带转移膜的电磁波屏蔽膜。本发明是一种包含转移膜和层叠于上述转移膜的电磁波屏蔽膜的带转移膜的电磁波屏蔽膜,其特征在于:上述电磁波屏蔽膜包括与上述转移膜接触的保护层、层叠于上述保护层的屏蔽层、层叠于上述屏蔽层的胶粘剂层,上述转移膜的杨氏弹性模量为2.9-5.0GPa。

    电磁波屏蔽膜
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110177448A

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201910020692.9

    申请日:2019-01-09

    Inventor: 梅村滋和

    Abstract: 本发明提供一种能实现转移膜轻松剥离的电磁波屏蔽膜。本发明的电磁波屏蔽膜包括绝缘保护层(112),设在绝缘保护层(112)的表面的转移膜(115),设在绝缘保护层(112)的与转移膜(115)侧相反一侧的导电性胶粘剂层(111)。转移膜(115)的绝缘保护层(112)侧的面的最大谷深(Sv)为1μm以上、6μm以下,最大高度(Sz)为2μm以上、10μm以下。

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