一种高纯二氧化硅的合成方法

    公开(公告)号:CN116715244B

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202310703419.2

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了材料化学技术领域一种高纯二氧化硅的合成方法,其采用二氟磷酸锂合成中产生的副产物三甲基氟硅烷为硅源,通过碱水溶液处理生产六甲基二硅氧烷,并回收氟化钠。六甲基二硅氧烷是挥发性有机硅化合物,可以通过精馏提纯,除去其中的金属杂离子。通过在高纯氧中燃烧六甲基二硅氧烷与有机助剂的混合物,得到金属杂质含量在0.1 ppm以下的高纯度二氧化硅,而副产物二氧化碳和水以气体形式释放。其解决了现有高纯二氧化硅制备成本高、能耗高、路线长、污染重的技术问题;还解决了有机硅氧烷法制备二氟磷酸锂工艺中副产三甲基氟硅烷废弃物再利用的问题。

    一种高纯二氧化硅的合成方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116715244A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310703419.2

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了材料化学技术领域一种高纯二氧化硅的合成方法,其采用二氟磷酸锂合成中产生的副产物三甲基氟硅烷为硅源,通过碱水溶液处理生产六甲基二硅氧烷,并回收氟化钠。六甲基二硅氧烷是挥发性有机硅化合物,可以通过精馏提纯,除去其中的金属杂离子。通过在高纯氧中燃烧六甲基二硅氧烷与有机助剂的混合物,得到金属杂质含量在0.1 ppm以下的高纯度二氧化硅,而副产物二氧化碳和水以气体形式释放。其解决了现有高纯二氧化硅制备成本高、能耗高、路线长、污染重的技术问题;还解决了有机硅氧烷法制备二氟磷酸锂工艺中副产三甲基氟硅烷废弃物再利用的问题。

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