一种源极沟槽侧壁集成SBD的SiC MOSFET及制备方法

    公开(公告)号:CN119153525A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411346588.6

    申请日:2024-09-26

    Applicant: 扬州大学

    Inventor: 徐峰 谢菲

    Abstract: 本发明公开了一种源极沟槽侧壁集成SBD的SiC MOSFET及制备方法,该制备方法包括在外延层表面形成N埋层和对称的P屏蔽层,继续生长外延层,并在外延层上表面依次生成CSL层、Pwell区和N+区;刻蚀形成源极沟槽和栅极沟槽,其中栅极沟槽位于中心位置,形成对称的Pwell区和对称的N+区,源极沟槽位于外延层两侧;在栅极沟槽底部和侧壁进行氧化物沉积和多晶硅沉积,形成屏蔽栅和栅极;在源极沟槽沉积金属,使金属与N+区、Pwell区和P屏蔽区域形成欧姆接触,同时与CSL层形成肖特基接触。本发明通过在源极沟槽侧壁集成SBD,使肖特基金属与源极相连,可提高器件的反向导通能力,同时也降低了续流损耗和反向恢复损耗,进而有效避免了体二极管开启产生的双极退化效应。

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