公开(公告)号：CN105274483B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201510632802.9

申请日：2015-09-29

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张志萍 ,  刘红飞 ,  杨露 ,  潘坤旻 ,  曾祥华 ,  陈小兵

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2W3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，其特征在于：采用固相法制备了Sc2W3O12陶瓷靶材，利用制备的Sc2W3O12陶瓷靶材以射频磁控溅射法沉积制备薄膜，在900‑1100℃温度下热处理后制备负热膨胀Sc2W3O12薄膜。本发明的优点在于利用射频磁控溅射法制备Sc2W3O12薄膜的负热膨胀响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，薄膜质量好，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单，制备过程具有良好的可重复性，易于实现工业化。

公开(公告)号：CN107235726A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710345736.6

申请日：2017-05-17

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘红飞 ,  张义池 ,  郑倩 ,  张志萍 ,  杨露 ,  曾祥华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料Al2‑xScxMo3O12及其制备方法。其中0.35≤x≤0.45。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域，该负热膨胀Al2‑xScxMo3O12陶瓷材料以分析纯Sc2O3、Al2O3和MoO3为原料，采用分步固相烧结法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、混料球磨、成型、分布预烧最终在750‑800℃烧结，制备得到的斜方相负热膨胀材料Al2‑xScxMo3O12陶瓷，不含杂质相，结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如Al1.6Sc0.4Mo3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为‑2.19×10‑6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料Al2‑xScxMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、环保无污染，因而具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN105177511B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510631552.7

申请日：2015-09-29

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张志萍 ,  刘红飞 ,  杨露 ,  潘坤旻 ,  曾祥华 ,  陈小兵

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，具体方法是采用脉冲激光法制备负热膨胀Sc2Mo3O12薄膜。本发明的优点在于利用脉冲激光沉积法制备Sc2Mo3O12薄膜，该Sc2Mo3O12薄膜负热膨胀响应温度范围宽，性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法沉积的Sc2Mo3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性。

公开(公告)号：CN105331935A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510632801.4

申请日：2015-09-29

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘红飞 ,  张志萍 ,  杨露 ,  潘坤旻 ,  曾祥华 ,  陈小兵

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/28 ,  C23C14/083

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Y2W3O12薄膜的制备方法。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域。本发明的负热膨胀Y2W3O12薄膜是采用自制的Y2W3O12陶瓷靶材，利用脉冲激光沉积法制备并在沉积仓内于900－1100℃原位退火制备得到，该Y2W3O12薄膜响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法使沉积的Y2W3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，原位退火后制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性、制备周期短、成本低，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN105254297A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510632044.0

申请日：2015-09-29

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘红飞 ,  张志萍 ,  杨露 ,  马健 ,  曾祥华 ,  陈小兵

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料ScxIn2-xW3O12及其制备方法。其中1≤x≤1.2。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域，该负热膨胀ScxIn2-xW3O12陶瓷材料以Sc2O3、In2O3和WO3为原料，采用固相法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、球磨、成型和在950-1200℃烧结，制备得到的负热膨胀材料ScxIn2-xW3O12陶瓷结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如ScInW3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为-5.97×10-6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料ScxIn2-xW3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、环保无污染，因而具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN105177511A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510631552.7

申请日：2015-09-29

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张志萍 ,  刘红飞 ,  杨露 ,  潘坤旻 ,  曾祥华 ,  陈小兵

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，具体方法是采用脉冲激光法制备负热膨胀Sc2Mo3O12薄膜。本发明的优点在于利用脉冲激光沉积法制备Sc2Mo3O12薄膜，该Sc2Mo3O12薄膜负热膨胀响应温度范围宽，性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法沉积的Sc2Mo3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性。

公开(公告)号：CN105274483A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510632802.9

申请日：2015-09-29

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张志萍 ,  刘红飞 ,  杨露 ,  潘坤旻 ,  曾祥华 ,  陈小兵

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2W3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，其特征在于：采用固相法制备了Sc2W3O12陶瓷靶材，利用制备的Sc2W3O12陶瓷靶材以射频磁控溅射法沉积制备薄膜，在900-1100℃温度下热处理后制备负热膨胀Sc2W3O12薄膜。本发明的优点在于利用射频磁控溅射法制备Sc2W3O12薄膜的负热膨胀响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，薄膜质量好，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单，制备过程具有良好的可重复性，易于实现工业化。