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公开(公告)号：CN107151141A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710347474.7
申请日：2017-05-17
Applicant: 扬州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/62605 , C04B35/63416 , C04B35/638 , C04B2235/3224 , C04B2235/3286 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料ScxIn2‑xMo3O12及其制备方法。其中1.4≤x≤1.6。属于无机非金属功能材料领域，该负热膨胀ScxIn2‑xMo3O12陶瓷材料以高纯度Sc2O3、In2O3和MoO3为原料，采用固相法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、球磨、成型和在750‑1100℃烧结，制备得到的斜方向负热膨胀材料ScxIn2‑xMo3O12陶瓷，其结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如Sc1.5In0.5Mo3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为‑3.99×10‑6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料ScxIn2‑xMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、环保无污染，因而具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107117966A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710345755.9
申请日：2017-05-17
Applicant: 扬州大学
Inventor： 郑倩 , 刘红飞 , 陈小兵 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B2235/3224 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料Cr2‑xScxMo3O12及其制备方法。其中1.3≤x≤1.5。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域，该负热膨胀Cr2‑xScxMo3O12陶瓷材料以高纯度Sc2O3(≥99.5％)、Cr2O3(≥99.5％)和MoO3(≥99.5％)为原料，采用固相烧结法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、混料、球磨和成型，最终在750‑1100℃烧结，制备得到的负热膨胀材料Cr2‑xScxMo3O12陶瓷，陶瓷结构致密，不含杂质相，在室温到其熔点温度范围内具有较大且稳定的负热膨胀性能。例如Cr0.6Sc1.4Mo3O12陶瓷在室温到600℃的温度范围内，其线热膨胀系数高达‑11.0×10‑6/K，热膨胀曲线呈线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料Cr2‑xScxMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、因而具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105177511A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510631552.7
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，具体方法是采用脉冲激光法制备负热膨胀Sc2Mo3O12薄膜。本发明的优点在于利用脉冲激光沉积法制备Sc2Mo3O12薄膜，该Sc2Mo3O12薄膜负热膨胀响应温度范围宽，性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法沉积的Sc2Mo3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性。
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公开(公告)号：CN105274483A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510632802.9
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2W3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，其特征在于：采用固相法制备了Sc2W3O12陶瓷靶材，利用制备的Sc2W3O12陶瓷靶材以射频磁控溅射法沉积制备薄膜，在900-1100℃温度下热处理后制备负热膨胀Sc2W3O12薄膜。本发明的优点在于利用射频磁控溅射法制备Sc2W3O12薄膜的负热膨胀响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，薄膜质量好，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单，制备过程具有良好的可重复性，易于实现工业化。
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公开(公告)号：CN105274483B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510632802.9
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2W3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，其特征在于：采用固相法制备了Sc2W3O12陶瓷靶材，利用制备的Sc2W3O12陶瓷靶材以射频磁控溅射法沉积制备薄膜，在900‑1100℃温度下热处理后制备负热膨胀Sc2W3O12薄膜。本发明的优点在于利用射频磁控溅射法制备Sc2W3O12薄膜的负热膨胀响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，薄膜质量好，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单，制备过程具有良好的可重复性，易于实现工业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107235726A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710345736.6
申请日：2017-05-17
Applicant: 扬州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/62645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料Al2‑xScxMo3O12及其制备方法。其中0.35≤x≤0.45。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域，该负热膨胀Al2‑xScxMo3O12陶瓷材料以分析纯Sc2O3、Al2O3和MoO3为原料，采用分步固相烧结法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、混料球磨、成型、分布预烧最终在750‑800℃烧结，制备得到的斜方相负热膨胀材料Al2‑xScxMo3O12陶瓷，不含杂质相，结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如Al1.6Sc0.4Mo3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为‑2.19×10‑6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料Al2‑xScxMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、环保无污染，因而具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107140980A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710345779.4
申请日：2017-05-17
Applicant: 扬州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B2235/3224 , C04B2235/3272 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料Fe2‑xScxMo3O12及其制备方法。其中1.4≤x≤1.6。属于无机非金属功能材料领域，该负热膨胀Fe2‑xScxMo3O12陶瓷材料以分析纯Sc2O3、Fe2O3和MoO3为原料，采用固相法制备，按照一定的摩尔比，通过对原料氧化物称量、混料、球磨、成型和在750‑1200℃烧结，制备得到的斜方向负热膨胀材料Fe2‑xScxMo3O12陶瓷，其结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如Fe0.5Sc1.5Mo3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为‑5.70×10‑6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能。同时本发明所提供的制备负热膨胀材料Fe2‑xScxMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、环保无污染，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110064406B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910444423.5
申请日：2019-05-24
Applicant: 扬州大学
IPC: B01J23/89 , C25B11/093 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种碱性溶液析氢电催化剂V2O3‑NiPt，所述催化剂V2O3‑NiPt的主要成分为V2O3和NiPt合金，其中V元素的质量百分比含量为5‑20%，Pt元素的质量百分比含量为5‑30%，Ni元素的质量百分比含量为50‑90%。本发明还公开了该碱性溶液析氢电催化剂V2O3‑NiPt的制备方法和应用。本发明的方法制备得到的V2O3‑NiPt异质结型碱性析氢催化剂作为电极材料，不仅具有较好的碱性析氢性能，而且具有较低的贵金属铂含量，同时表现出优良的电化学稳定性，展现了良好的碱性电解水析氢催化性能。本发明的制备方法简单、绿色环保、低成本，适合工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN110064406A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910444423.5
申请日：2019-05-24
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种碱性溶液析氢电催化剂V2O3-NiPt，所述催化剂V2O3-NiPt的主要成分为V2O3和NiPt合金，其中V元素的质量百分比含量为5-20%，Pt元素的质量百分比含量为5-30%，Ni元素的质量百分比含量为50-90%。本发明还公开了该碱性溶液析氢电催化剂V2O3-NiPt的制备方法和应用。本发明的方法制备得到的V2O3-NiPt异质结型碱性析氢催化剂作为电极材料，不仅具有较好的碱性析氢性能，而且具有较低的贵金属铂含量，同时表现出优良的电化学稳定性，展现了良好的碱性电解水析氢催化性能。本发明的制备方法简单、绿色环保、低成本，适合工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN105177511B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510631552.7
申请日：2015-09-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，具体方法是采用脉冲激光法制备负热膨胀Sc2Mo3O12薄膜。本发明的优点在于利用脉冲激光沉积法制备Sc2Mo3O12薄膜，该Sc2Mo3O12薄膜负热膨胀响应温度范围宽，性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法沉积的Sc2Mo3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性。
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