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1.

发明公开
采用电淀积方法制备用于生产高效太阳能电池的Cu In Ga Se (x=0－2,y=0－2,z=0－2,n=0－3) 失效

公开(公告)号：CN1204419A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN96199008.2

申请日：1996-12-11

申请人： 戴维斯 , 约瑟夫和尼格利 , 约瑟夫和尼格利

发明人： R·N·比哈塔查亚 , M·A·科特里拉斯 , J·科尼 , A·L·坦纳特 , J·R·图特利 , K·拉曼纳塞 , R·诺非

IPC分类号： H01L31/18 , C25D5/18 , C23C28/00

CPC分类号： H01L31/0749 , C23C28/023 , C25D3/56 , C25D5/18 , G03C1/22 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y10S205/915 , Y10S438/93

摘要： 可用于生产太阳能电池的高质量铜—铟—镓—联硒的薄膜是通过在玻璃/Mo基材(12、14)上电淀积至少一种构成金属(18),接着通过物理气相淀积铜和硒或铟和硒来调整该薄膜的最终化学计量为接近Cu(In,Ga)Se2来制备的。在电淀积中采用1～100千赫的交流电和直流电可提高淀积薄膜的形态和生长速度。可以采用含有至少一部分有机溶剂的电淀积溶液,同时提高阴极电位来提高该电淀积薄膜的镓含量。

2.

发明授权
制备太阳能电池前体薄膜的方法及太阳能电池失效

公开(公告)号：CN1155111C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN96199008.2

申请日：1996-12-11

申请人： 戴维斯 , 约瑟夫和尼格利 , 约瑟夫和尼格利

发明人： R·N·比哈塔查亚 , M·A·科特里拉斯 , J·科尼 , A·L·坦纳特 , J·R·图特利 , K·拉曼纳塞 , R·诺非

IPC分类号： H01L31/18 , C25D5/18 , C23C28/00

CPC分类号： H01L31/0749 , C23C28/023 , C25D3/56 , C25D5/18 , G03C1/22 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y10S205/915 , Y10S438/93

摘要： 可用于生产太阳能电池的高质量铜-铟-镓-联硒的薄膜是通过在玻璃/Mo基材(12、14)上电淀积至少一种构成金属(18)，接着通过物理气相淀积铜和硒或铟和硒来调整该薄膜的最终化学计量为接近Cu(In，Ga)Se2来制备的。在电淀积中采用1～100千赫的交流电和直流电可提高淀积薄膜的形态和生长速度。可以采用含有至少一部分有机溶剂的电淀积溶液，同时提高阴极电位来提高该电淀积薄膜的镓含量。