发明授权
CN1155111C 制备太阳能电池前体薄膜的方法及太阳能电池
失效 - 权利终止
- 专利标题： 制备太阳能电池前体薄膜的方法及太阳能电池
- 专利标题（英）： Method for producing solar cell precursor thin film and solar cell
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申请号： CN96199008.2申请日： 1996-12-11
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公开(公告)号： CN1155111C公开(公告)日： 2004-06-23
- 发明人: R·N·比哈塔查亚 , M·A·科特里拉斯 , J·科尼 , A·L·坦纳特 , J·R·图特利 , K·拉曼纳塞 , R·诺非
- 申请人： 戴维斯 , 约瑟夫和尼格利 , 约瑟夫和尼格利
- 申请人地址： 美国得克萨斯
- 专利权人： 戴维斯,约瑟夫和尼格利,约瑟夫和尼格利
- 当前专利权人： 戴维斯,约瑟夫和尼格利,约瑟夫和尼格利
- 当前专利权人地址： 美国得克萨斯
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 龙传红
- 优先权： 571,150 1995.12.12 US
- 国际申请： PCT/US1996/019614 1996.12.11
- 国际公布： WO1997/022152 EN 1997.06.19
- 进入国家日期： 1998-06-12
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; C25D5/18 ; C23C28/00
摘要：
可用于生产太阳能电池的高质量铜-铟-镓-联硒的薄膜是通过在玻璃/Mo基材(12、14)上电淀积至少一种构成金属(18)，接着通过物理气相淀积铜和硒或铟和硒来调整该薄膜的最终化学计量为接近Cu(In，Ga)Se2来制备的。在电淀积中采用1～100千赫的交流电和直流电可提高淀积薄膜的形态和生长速度。可以采用含有至少一部分有机溶剂的电淀积溶液，同时提高阴极电位来提高该电淀积薄膜的镓含量。
公开/授权文献
- CN1204419A 采用电淀积方法制备用于生产高效太阳能电池的Cu In Ga Se (x=0－2,y=0－2,z=0－2,n=0－3) 公开/授权日：1999-01-06
IPC分类:
