-
公开(公告)号：CN118955123A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411060790.2
申请日：2024-08-02
申请人： 成都信息工程大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01G4/12
摘要： 本发明公开了一种宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料，化学通式为：(Na0.3+xBi0.38‑0.2xSr0.28‑0.7x)(Ti1‑xNbx)O3，0≤x≤0.1。制备方法包括一次球磨，900℃预烧，二次球磨，造粒、筛分，细粉8MPa干压成型，550℃高温排胶，粗粉掩埋空气气氛下1100℃‑1130℃烧结，得到陶瓷电容器介质材料。采用本发明所述的宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料及其制备方法，能够解决现有的钛酸铋钠基压电陶瓷介电稳定性差、低介电常数以及高损耗，制备工艺条件苛刻的问题。
-
公开(公告)号：CN117886601B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410060575.6
申请日：2024-01-16
申请人： 成都信息工程大学
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3，0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+，增加极性纳米微区数量，引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性，在室温附近诱导出弛豫相，且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变，从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。
-
公开(公告)号：CN116774322B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310857256.3
申请日：2023-07-13
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种赫兹矢量和标量光束双通道纵向切换超表面器件，涉及超表面的太赫兹波操控研究技术领域，包括超表面器件、两个不同结构的超单元和双通道，两个不同结构的超单元集成到超表面器件，两个不同结构的超单元包括自旋解耦合结构和各向同性结构，双通道包括同极化通道和交叉极化通道。本发明利用超单元对光场双通道的调控作用，使两个通道在不同的偏振态入射时同时产生两束携带相反角量子数的圆偏振涡旋不同焦点的聚焦光束，在不同入射偏振状态间引入一个附加相位差，在不同焦平面上得到不同初始偏振角度的矢量光束，实现超表面器件在不同偏振通道中标量‑矢量光束、矢量标量光束、矢量‑矢量光束的空间切换。
-
公开(公告)号：CN116986896B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311241871.8
申请日：2023-09-25
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要： 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了阴离子取代改性的钛酸铋钠无铅压电陶瓷及其制备方法，所述钛酸铋钠无铅压电陶瓷的化学通式为：Bi0.51(Na0.82K0.18)0.5TiO3‑0.41xF0.41x，其中，0.2≤x≤1.0。本发明利用NaF取代Na2CO3，实现F‑2‑取代O ，在钛酸铋钠基陶瓷中实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，非等价取代有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强极化强度，进而同时提升钛酸铋钠基陶瓷的压电性能和退极化温度，使之具有高的压电性能和宽的使用温度范围，压电常数d33可达122~170 pC/N，退极化温度Td可达77‑142℃。(56)对比文件Yoshimura, S 等.Crystal growth andelectric-field-induced strain inBi0.5Na0.5TiO3 singlecrystals.TRANSACTIONS OF THE MATERIALSRESEARCH SOCIETY OF JAPAN.2006,第31卷(第01期),47.
-
公开(公告)号：CN116986895B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311241879.4
申请日：2023-09-25
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要： 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的高压电性能无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷的化学通式为：Ba0.94Sr0.06Ti0.92Sn0.08O3‑0.08xS0.08x，其中，0.2≤x≤1。本发明通过利用SnS部分取代SnO2作为原4‑ 2‑料，实现S 取代O ，进而实现阴离子掺杂取代。相较于O2‑，S4‑的化学价更高，有利于建立非等价阴离子取代诱导的缺陷结构，并增大缺陷对的自发极化强度，从而增强极化强度，进而提升无铅压电陶瓷的压电和介电性能，压电常数d33最高可达1010~1700pC/N，室温相对介电常数ε r可达6120~8830；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。(56)对比文件李涛 等.锆钛酸铅压电陶瓷的研究进展与发展动态.湘南学院学报.2004,(第02期),54-57.
-
公开(公告)号：CN116774322A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310857256.3
申请日：2023-07-13
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种赫兹矢量和标量光束双通道纵向切换超表面器件，涉及超表面的太赫兹波操控研究技术领域，包括超表面器件、两个不同结构的超单元和双通道，两个不同结构的超单元集成到超表面器件，两个不同结构的超单元包括自旋解耦合结构和各向同性结构，双通道包括同极化通道和交叉极化通道。本发明利用超单元对光场双通道的调控作用，使两个通道在不同的偏振态入射时同时产生两束携带相反角量子数的圆偏振涡旋不同焦点的聚焦光束，在不同入射偏振状态间引入一个附加相位差，在不同焦平面上得到不同初始偏振角度的矢量光束，实现超表面器件在不同偏振通道中标量‑矢量光束、矢量标量光束、矢量‑矢量光束的空间切换。
-
公开(公告)号：CN116573936A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310850114.4
申请日：2023-07-12
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要： 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的压电陶瓷及其制备方法，压电陶瓷的化学通式为：Ba0.86Sr0.14Ti0.92Zr0.08 O3‑0.16xF0.32x，其中，x为用氟化锆ZrF4取代氧化锆ZrO2的摩尔比，0.2≤x≤1。本发明利用ZrF4取代部分ZrO2作为原料，实现F‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强铁电极性，进而提升压电陶瓷的压电和介电性能，使压电陶瓷具有超高的压电和介电性能，压电常数d33最高可达950~1245pC/N，室温相对介电常数εr可达3201~3786；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。
-
公开(公告)号：CN116755264B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310741896.8
申请日：2023-06-20
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯‑VO2波导的磁光‑热光调控方法，涉及IF位移调控领域，包括以下步骤S1：引入拉盖尔‑高斯光束；S2：线偏振光束在介质的界面处发生折射和反射时，使线偏振光束的左旋、右旋圆偏振分量相互分离；S3：计算线偏振拉盖尔‑高斯光束的角谱分量；S4：通过平面波角谱分析法，建立入射光束和反射光束角谱分量之间的关系；S5：计算实际光束的左旋与右旋偏振角谱分量；S6：通过Drude模型描述太赫兹波段的石墨烯及VO2介电张量矩阵；S7：计算结构的反射系数；S8：代入IF位移公式，实现对拉盖尔‑高斯光束的IF位移仿真，本发明采用上述方法，实现磁场和温度对IF位移的有效调制，为开发高灵敏度的光学传感器和参数的灵敏检测提供了新途径。
-
公开(公告)号：CN117362034A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311500391.9
申请日：2023-11-10
申请人： 成都信息工程大学
IPC分类号： C04B35/495
摘要： 本发明公开了一种高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，属于压电陶瓷技术领域。压电陶瓷材料的化学通式为：(K0.48Na0.52)NbO3‑0.5mol％K4CuCo2Nb8O26。低温制备方法包括球磨、烘干、预烧、造粒压制、烧结、极化、退火。烧结的温度为960～1020℃，烧结时间为3‑5小时。制备的压电陶瓷的压电系数d33为60～84pC/N，机械品质因数Qm为187～555，机电耦合系数kp为26％～38％。本发明采用上述高机械品质因数铌酸钾钠基压电陶瓷及低温制备方法，能够有效的提高铌酸钾钠基压电陶瓷的机械品质因数Qm，明显降低烧结温度。
-
公开(公告)号：CN116573936B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310850114.4
申请日：2023-07-12
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要： 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的压电陶瓷及其制备方法，压电陶瓷的化学通式为：Ba0.86Sr0.14Ti0.92Zr0.08O3‑0.16xF0.32x，其中，x为用氟化锆ZrF4取代氧化锆ZrO2的摩尔比，0.2≤x≤1。本发明利用ZrF4取代部分ZrO2作为原料，实现F‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强铁电极性，进而提升压电陶瓷的压电和介电性能，使压电陶瓷具有超高的压电和介电性能，压电常数d33最高可达950~1245pC/N，室温相对介电常数εr可达3201~3786；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
27 条记录 (耗时 0.035 秒)
