公开(公告)号：CN116892918A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310352531.6

申请日：2023-04-04

Applicant: 意法半导体公司 ,  意法半导体股份有限公司

Inventor： Y·胡 ,  N·K·萨霍 ,  P·纳拉莫苏 ,  D·方 ,  D·麦克卢尔 ,  M·加巴里诺

IPC: G01C19/5776

Abstract: 本公开涉及MEMS陀螺仪启动过程和电路。在微机电系统(MEMS)陀螺仪的启动时，驱动信号被抑制，并且任何残余机械振荡的相位、频率和幅度被感测并被处理以确定用于启动的过程路径。在残余机械振荡的感测频率是杂散模式频率并且残余机械振荡的品质因数足够的情况下，将反相信号作为MEMS陀螺仪驱动信号来施加，以便实现残余机械振荡的主动衰减。然后可以执行突跳阶段以发起振荡。此外，在残余机械振荡的感测频率是具有足够驱动能量的谐振模式频率的情况下，将具有锁相环频率控制和由驱动能量控制的幅度的正交相位信号作为MEMS陀螺仪驱动信号来施加，以便引发受控振荡。

公开(公告)号：CN101303888A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810096656.2

申请日：2008-02-15

Applicant: 意法半导体公司

Inventor： M·A·利辛格 ,  D·麦克卢尔 ,  F·雅凯

IPC: G11C11/413 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01H85/30

Abstract: 本发明涉及具有电压的可转换电源组的SRAM。一种电路，包括具有高电源电压节点和低电源电压节点的存储单元。依赖于该存储单元的电流操作模式，电源多路复用电路被提供用于可选择地将第一组电压和第二组电压之一应用到该存储单元的该高和低电源电压节点。更特别的是，该第二组电压中的低电压高于该第一组电压中的低电压，并且其中该第二组电压中的高电压小于该第一组电压中的高电压。该存储单元可以是存储单元阵列中的一员。该阵列可以包括位于全部存储器设备之内的区块或节，该存储器设备包括多个区块或节，在这种情况下，将电压应用到单独的区块/节上的该可选择应用依赖于该区块/节自身的该激活/待机模式。

公开(公告)号：CN101303888B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200810096656.2

申请日：2008-02-15

Applicant: 意法半导体公司

Inventor： M·A·利辛格 ,  D·麦克卢尔 ,  F·雅凯

IPC: G11C11/413 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01H85/30

Abstract: 本发明涉及具有电压的可转换电源组的SRAM。一种电路，包括具有高电源电压节点和低电源电压节点的存储单元。依赖于该存储单元的电流操作模式，电源多路复用电路被提供用于可选择地将第一组电压和第二组电压之一应用到该存储单元的该高和低电源电压节点。更特别的是，该第二组电压中的低电压高于该第一组电压中的低电压，并且其中该第二组电压中的高电压小于该第一组电压中的高电压。该存储单元可以是存储单元阵列中的一员。该阵列可以包括位于全部存储器设备之内的区块或节，该存储器设备包括多个区块或节，在这种情况下，将电压应用到单独的区块/节上的该可选择应用依赖于该区块/节自身的该激活/待机模式。