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公开(公告)号：CN101310340A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680041290.8
申请日：2006-07-21
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： G11C8/10 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C13/0023 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/77 , G11C2213/81
摘要： 本发明的多种实施例包括用于确定纳米线寻址方案的方法，以及包括集成用于可靠地寻址纳米线交叉杆(1700)内的纳米线结点的纳米线寻址方案的微米级/纳米级电子装置。这些寻址方案能够实现被选纳米线交叉杆结点的电阻状态或其他物理或电子状态的改变，而不改变其余纳米线交叉杆结点的电阻状态或其他物理或电子状态，并且不击穿被选纳米线交叉杆结点或其余未选纳米线交叉杆结点。本发明的附加实施例包括结合本发明的纳米线寻址方案实施例的纳米级存储器阵列(1700)和其他纳米级电子装置。本发明的某些实施例采用等重码(1308)，公知类码或差错控制编码码，作为施加到选择性地与一组纳米线(1310－1315)互连的微米级/纳米级编码器－解复用器的微米级输出信号线(1316－1319)的被寻址纳米线选择电压。
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公开(公告)号：CN101946230B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200880126802.X
申请日：2008-03-03
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： G06F9/00
CPC分类号： G11C7/1006 , G11C2029/0411 , H03M13/134 , H03M13/154 , H03M13/17 , H03M13/2906
摘要： 本发明的实施例包括基于ECC的编码和解码方案，其很好地适用于校正定相突发的差错或删除以及附加的符号差错和位差错。每个代表本发明的实施例的编码和解码方案是由两个或更多分量纠错码和映射函数f(·)构造的。除了单个位差错和符号差错之外，代表本发明的实施例的复合纠错码与单独的任何一个分量码相比能够分别校正更长的定相突发或更大数量的删除，并且比先前开发的用于校正与附加的位差错和符号差错结合的定相突发的符号差错和删除的基于ECC的编码和解码方案更高效。
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公开(公告)号：CN101946230A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880126802.X
申请日：2008-03-03
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： G06F9/00
CPC分类号： G11C7/1006 , G11C2029/0411 , H03M13/134 , H03M13/154 , H03M13/17 , H03M13/2906
摘要： 本发明的实施例包括基于ECC的编码和解码方案，其很好地适用于校正定相突发的差错或删除以及附加的符号差错和位差错。每个代表本发明的实施例的编码和解码方案是由两个或更多分量纠错码和映射函数f(·)构造的。除了单个位差错和符号差错之外，代表本发明的实施例的复合纠错码与单独的任何一个分量码相比能够分别校正更长的定相突发或更大数量的删除，并且比先前开发的用于校正与附加的位差错和符号差错结合的定相突发的符号差错和删除的基于ECC的编码和解码方案更高效。
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