高蚀刻因子管控方法、电路板生产方法及电路板

    公开(公告)号:CN119893863A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411993259.0

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明涉及一种高蚀刻因子管控方法、电路板生产方法及电路板,根据不同电路板酸性蚀刻要求,预先设定蚀刻量,所述蚀刻量为电路板铜厚的1.5倍以上,所述铜厚为电路板线路层设计厚度,所述蚀刻量为电路板图形抗蚀层线宽与蚀刻后线路的线宽的差值;在电路板酸性蚀刻的过程中,使蚀刻量达到电路板铜厚的1.5倍以上,就可以得到6‑9的高蚀刻因子,只需控制蚀刻量就可以完成蚀刻因子的控制,此时采用常规的蚀刻设备就可以完成该生产过程,无需使用带二流体真空蚀刻工艺的设备进行蚀刻,有效地降低了电路板的加工成本。

    一种台阶焊盘结构及其测试方法

    公开(公告)号:CN115656789B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202211672512.3

    申请日:2022-12-26

    Abstract: 本发明属于PCB技术领域,提供一种台阶焊盘结构及其测试方法,包括以下:台阶槽邦定IC增设引线及假焊盘;包括在台阶槽邦定IC的外侧铣槽位置增设引线,以及引线尾部增设假焊盘做测试点;台阶槽邦定IC测试文件设置;包括设置内层邦定IC测试文件与外层ET测试文件结合;台阶槽邦定IC测试工艺流程设置。本发明在台阶槽邦定IC铣槽位置增设引线及假焊盘,无论是采用外层揭盖后直接测试或者按内外层分歩方式测试,均可大幅提升测试效率,同时规避IC焊盘测试针印,确保IC焊盘平整度,满足产品邦定要求。

    一种非金属化槽的控深方法及隔离器的制备方法

    公开(公告)号:CN117769143A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311834950.X

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本发明提供了一种非金属化槽的控深方法及隔离器的制备方法,包括:将第一芯板和铜箔通过半固化片进行压合;对铜箔进行图形化,形成与非金属化槽形状相适配的铜箔图形;将第二芯板和铜箔远离第一芯板的一侧进行压合,使得第二芯板中非金属化槽与铜箔图形重叠;以铜箔图形为刻蚀阻挡层,对第二芯板进行激光控深,形成非金属化槽;刻蚀去除铜箔图形。本申请提供的一种非金属化槽的控深方法,在第二芯板的底部预设计铜箔图形,再以铜箔图形作为激光控深的刻蚀阻挡层的方式,能够精准形成非金属化槽,能有效满足密集非金属化槽的控深精度及非金属化槽底部到线路层的间距可加工到≧0.05mm的产品,可实现产品批量化生产。

    一种改善薄型PTFE介质结构层压涨缩的控制方法

    公开(公告)号:CN115529748A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202211373170.5

    申请日:2022-11-04

    Abstract: 本发明属于PCB技术领域,提供一种改善薄型PTFE介质结构层压涨缩的控制方法,包括以下步骤:内层资料分区铜皮设计—薄型支撑框制作—内层开料—烤板—无铅回流焊—产品装支撑框—内层前处理—内层线路—内层蚀刻—Cc打靶—内层蚀检—内层棕化—预叠铆合—层压—后流程。本发明可减少薄型PTFE介质结构蚀刻后内层图形的形变,并降低层压涨缩变化,有效提升内层图形孔位精度,由原来的孔位偏移≧0.15mm提升到孔位偏移≤0.05mm,使产品良率由50%提升到98%以上。

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