公开(公告)号：CN118085973A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410234576.8

申请日：2016-01-05

申请人： 恩特格里斯公司 ,  恩特格里斯亚洲公司

发明人： E·托马斯 ,  D·弗赖伊 ,  刘俊 ,  M·怀特 ,  D·怀特 ,  王朝鈺

IPC分类号： C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02

摘要： 本申请涉及一种化学机械抛光后调配物及其使用方法。本发明揭示一种用于从上面具有化学机械抛光CMP后残余物及污染物的微电子装置清除所述残余物及污染物的清洁组合物及方法。所述清洁组合物基本上没有碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物及四甲基氢氧化铵。所述组合物实现了在不危害低k电介质材料或铜互连材料的情况下从所述微电子装置的表面高效地清除所述CMP后残余物及污染物材料。

公开(公告)号：CN113195698A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980083648.0

申请日：2019-11-25

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： D·怀特 ,  D·弗赖伊 ,  E·托马斯 ,  刘俊 ,  M·怀特

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D3/00 ,  C11D3/30

摘要： 本发明公开一种用于从上面有残留物和/或污染物的微电子装置清洗所述残留物和/或污染物的清洗组合物。所述组合物包含至少一种络合剂、至少一种清洗添加剂、至少一种pH调节剂、水和至少一种氧胺化合物。有利地，所述组合物展示含钴衬底的有效清洗和经改良的钴相容性。

公开(公告)号：CN112771144A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980062409.7

申请日：2019-08-02

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： E·托马斯 ,  M·怀特 ,  D·怀特 ,  A·达斯

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D3/30 ,  C11D3/20 ,  C11D3/04 ,  C11D3/39 ,  C11D3/37 ,  C11D3/36 ,  C11D3/43

摘要： 本发明提供一种用于从微电子装置上清洁化学机械研磨CMP后污染物和铈粒子的去除组合物和方法，所述微电子装置上具有所述铈粒子和污染物。所述组合物达成所述微电子装置表面上的所述铈粒子和CMP副产物污染物材料的高效去除。

公开(公告)号：CN116438284A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180075325.4

申请日：2021-10-01

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： E·托马斯 ,  M·L·怀特 ,  A·K·达斯 ,  金荣玟 ,  刘俊 ,  D·怀特

IPC分类号： C11D3/33

摘要： 本发明提供一种用于清洁微电子装置衬底的组合物。所述组合物可用于清洁具有暴露的钴、钼、铜、钼、钨和电介质表面的过程中微电子装置衬底。也提供一种清洁此类装置的方法和包含所述组合物的组分中的一或多者的试剂盒。

公开(公告)号：CN112424327A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980047825.X

申请日：2019-07-18

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： D·怀特 ,  E·托马斯 ,  刘俊 ,  M·怀特 ,  王朝钰 ,  D·弗赖伊

IPC分类号： C11D3/00 ,  C11D3/04 ,  C11D3/28 ,  C11D3/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321

摘要： 一种用于清洗工艺内微电子装置衬底的清洗组合物和方法，例如通过化学机械抛光CMP后清洗，以自其表面去除残余物，其中所述清洗组合物可尤其有效地用于清洗包括例如钴、铜或两者的经暴露金属以及介电或低k介电材料的衬底表面，且其中所述清洗组合物包括腐蚀抑制剂以抑制所述经暴露金属的腐蚀。

公开(公告)号：CN112996893A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980073312.6

申请日：2019-10-21

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： D·怀特 ,  M·怀特 ,  刘俊 ,  E·托马斯

IPC分类号： C11D3/30 ,  C11D3/28 ,  C11D3/37

摘要： 本发明大体上涉及一种组合物和方法，所述组合物和所述方法用于自上面具有残留物和污染物的微电子装置清洁所述残留物和/或污染物。所述残留物可包括CMP后、蚀刻后和/或灰分后残留物。所述组合物和方法在对包含铜、低k介电材料和阻挡材料的微电子表面进行清洁时尤其有利，所述阻挡材料包含含钽材料，含钴材料，含钽、含钨和含钌材料中的至少一者。

公开(公告)号：CN107208007A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008165.0

申请日：2016-01-05

申请人： 恩特格里斯公司 ,  恩特格里斯台湾公司

发明人： E·托马斯 ,  D·弗赖伊 ,  刘俊 ,  M·怀特 ,  D·怀特 ,  王朝鈺

IPC分类号： C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  H01L21/02

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/26 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/349 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02057

摘要： 本发明揭示一种用于从上面具有化学机械抛光CMP后残余物及污染物的微电子装置清除所述残余物及污染物的清洁组合物及方法。所述清洁组合物基本上没有碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物及四甲基氢氧化铵。所述组合物实现了在不危害低k电介质材料或铜互连材料的情况下从所述微电子装置的表面高效地清除所述CMP后残余物及污染物材料。