公开(公告)号：CN105637616A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480056978.8

申请日：2014-08-14

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： 唐瀛 ,  J·D·斯威尼 ,  陈天牛 ,  J·J·迈耶 ,  R·S·雷 ,  O·比尔 ,  S·N·耶德卫 ,  R·凯姆

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26546

摘要： 本发明描述了用于在基板中注入硅和/或硅离子的组合物、系统和方法，包括从相应的硅前体组合物中生成硅和/或硅离子，以及在基板中注入该硅和/或硅离子。

公开(公告)号：CN105431927A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480029840.9

申请日：2014-05-21

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： J·J·迈耶 ,  R·S·雷 ,  R·凯姆 ,  J·D·斯威尼

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006

摘要： 公开了同位素富集的硅前体组合物，相对于缺乏该同位素富集的硅前体组合物的相应离子注入，其用在离子注入中以提高离子注入系统性能。该硅掺杂组合物包括至少一种硅化合物，并且可包括含有同种气体和稀释气体中至少一种的补充气体，所述至少一种硅化合物以28Si、29Si和30Si中的至少一种同位素富集至天然丰度以上。公开了用于将硅掺杂组合物提供至离子注入机的掺杂气体供应设备，以及包括掺杂气体供应设备的离子注入系统。