公开(公告)号：CN111276531A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010085782.9

申请日：2015-02-03

Applicant: 德克萨斯大学系统董事会

Inventor： S·J·谷 ,  P·巴德拉恰拉姆 ,  L-C·马

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H01L29/88 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请提供一种注射电子或空穴的装置部件以及用于制造注射电子或空穴的装置部件的方法，所述装置部件包括：电极；量子阱，其邻近所述电极设置，其中所述量子阱的能级间距为至少250meV或更大；以及隧穿势垒，其邻近所述量子阱设置。

公开(公告)号：CN106165100B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201580019096.9

申请日：2015-02-03

Applicant: 德克萨斯大学系统董事会

Inventor： S·J·谷 ,  P·巴德拉恰拉姆 ,  L-C·马

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/94

Abstract: 经能量过滤冷电子装置使用通过量子阱或量子点的离散能级进行的电子能量过滤，所述量子阱或量子点通过隧穿势垒导带的能带弯曲形成。这些装置可获得在室温下小于或等于45K的低有效电子温度、在室温下陡度小于或等于10mV/十进位的陡峭电流接通/截止能力、在室温下小于或等于10mV/十进位的亚阈值摆幅、和/或小于或等于0.1V的供应电压。

公开(公告)号：CN106165100A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580019096.9

申请日：2015-02-03

Applicant: 德克萨斯大学系统董事会

Inventor： S·J·谷 ,  P·巴德拉恰拉姆 ,  L-C·马

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/94

Abstract: 经能量过滤冷电子装置使用通过量子阱或量子点的离散能级进行的电子能量过滤，所述量子阱或量子点通过隧穿势垒导带的能带弯曲形成。这些装置可获得在室温下小于或等于45K的低有效电子温度、在室温下陡度小于或等于10mV/十进位的陡峭电流接通/截止能力、在室温下小于或等于10mV/十进位的亚阈值摆幅、和/或小于或等于0.1V的供应电压。