公开(公告)号：CN107078168A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580060054.X

申请日：2015-11-06

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·A·韦斯特 ,  T·D·博尼菲尔德 ,  B·L·威廉姆斯

IPC分类号： H01L29/94 ,  H05K1/16

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/552 ,  H01L23/642 ,  H01L28/40

摘要： 在所描述的高电压集成电路电容器的示例中，电容器结构(1000)包括半导体衬底(1010)；底板(1020)，其具有覆盖半导体衬底的导电层；沉积的电容器电介质层(1030)，其覆盖底板(1020)的至少一部分并且在第一区中具有大于约6μm的第一厚度；倾斜过渡区(1045)，其位于所述第一区的边缘处的电容器电介质中，倾斜过渡区具有从水平面倾斜大于5度的上表面，并且从第一区延伸到具有低于所述第一厚度的第二厚度的电容器电介质层的第二区；以及形成的顶板导体(1040)，其在第一区中覆盖电容器电介质层的至少一部分。

公开(公告)号：CN114823082A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210057283.8

申请日：2022-01-19

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·A·韦斯特 ,  B·L·威廉姆斯 ,  E·C·斯图尔特 ,  T·D·博尼菲尔德

IPC分类号： H01F27/28 ,  H05K3/14

摘要： 本申请题为“具有改进特性的无源部件”。所描述的示例包括具有部件(700)的混合电路。该部件具有在衬底上的第一导电元件(702)，该第一导电元件具有配置并且具有第一外围并且在第一外围(703)处具有延伸部。该部件还具有在第一导电元件上的电介质(708)。该部件还具有第二导电元件(704)，该第二导电元件在电介质上具有接近并对准第一导电元件的配置，并且具有第二外围，第一导电元件的延伸部延伸经过第二外围。

公开(公告)号：CN107078168B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201580060054.X

申请日：2015-11-06

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·A·韦斯特 ,  T·D·博尼菲尔德 ,  B·L·威廉姆斯

IPC分类号： H01L29/94 ,  H05K1/16

摘要： 在所描述的高电压集成电路电容器的示例中，电容器结构(1000)包括半导体衬底(1010)；底板(1020)，其具有覆盖半导体衬底的导电层；沉积的电容器电介质层(1030)，其覆盖底板(1020)的至少一部分并且在第一区中具有大于约6μm的第一厚度；倾斜过渡区(1045)，其位于所述第一区的边缘处的电容器电介质中，倾斜过渡区具有从水平面倾斜大于5度的上表面，并且从第一区延伸到具有低于所述第一厚度的第二厚度的电容器电介质层的第二区；以及形成的顶板导体(1040)，其在第一区中覆盖电容器电介质层的至少一部分。