一种用于光电镊设备的芯片基底的制备方法

    公开(公告)号:CN115602762A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211215069.7

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种用于光电镊设备的芯片基底的制备方法,该制备方法通过对ITO导电玻璃基底进行等离子处理,从而提高了氢化非晶硅与ITO导电玻璃的结合力,避免了氢化非晶硅光电层薄膜大面积制备时出现的易脱落问题,通过等离子增强化学气相沉积法使得所制备的氢化非晶硅光电层薄膜表面的均匀性高,有效降低了工艺的成本和时间,而退火处理能够消除氢化非晶硅光电层薄膜沉积过程中的残余应力,提高了氢化非晶硅光电层薄膜的性能和质量;本发明的制备方法,简化了工艺流程,提高了薄膜质量,提高了控制的安全性,降低了成本,从而使含有光电层芯片的光电镊系统可以大规模推广应用到实际细胞测试等试验中,有很强的产业化前景。

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