公开(公告)号：CN104051573B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410271292.2

申请日：2014-06-17

Applicant: 徐州工业职业技术学院

Inventor： 权祥 ,  王元庆 ,  颜续 ,  周琳 ,  焦富强 ,  邓敏

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种硅片掩膜制绒工艺，在硅片加工过程中，先用匀胶机在硅片表面涂覆一层厚度均匀且具有自身收缩性的混合硅溶胶，然后在硅溶胶涂层表面均匀沉积一层碳粉，经烘干或者静置处理后，硅片表面形成具有整齐结构掩膜层，相应面积的硅片表面由于硅溶胶收缩而裸露，然后按常规生产工艺对掩膜后的硅片表面进行酸腐蚀、清洗脱膜，即可形成规则且有规律的绒面。本发明工艺能制备出均匀的绒面，且经本发明制备的绒面，不仅可以扩大对太阳光谱中不同波长的吸收，极大地减少反射率，从而能进一步的提升太阳电池的光电转化效率，提升整体的经济效益，降低单位产能的生产成本。

公开(公告)号：CN104047048A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410271294.1

申请日：2014-06-17

Applicant: 徐州工业职业技术学院

Inventor： 权祥 ,  王元庆 ,  颜续 ,  周琳 ,  吕阳 ,  邓敏 ,  焦富强

IPC: C30B11/00 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明所述新型铸锭坩埚是在现有铸锭坩埚内壁表面喷涂常规氮化硅涂层的基础上，再进行二氧化硅浆料等诱导形核物的二次喷涂制得的提高铸锭收益率的高效铸锭坩埚，其底部的诱导形核物的喷涂还可以采用四边形、六边形等几何图形，该图形也可以带有凹凸结构，利于硅锭底部杂质的聚集与后续加工清除。所述高效铸锭坩埚在长晶过程中利用二氧化硅粉等对晶体硅诱导形核，可减少长晶初期硅晶体的位错、晶界等缺陷，提升长晶品质及硅晶体整体品质，从而进一步提升硅锭的收益率，提高整体的经济效益。

公开(公告)号：CN104051573A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410271292.2

申请日：2014-06-17

Applicant: 徐州工业职业技术学院

Inventor： 权祥 ,  王元庆 ,  颜续 ,  周琳 ,  焦富强 ,  邓敏

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02363

Abstract: 一种硅片掩膜制绒工艺，在硅片加工过程中，先用匀胶机在硅片表面涂覆一层厚度均匀且具有自身收缩性的混合硅溶胶，然后在硅溶胶涂层表面均匀沉积一层碳粉，经烘干或者静置处理后，硅片表面形成具有整齐结构掩膜层，相应面积的硅片表面由于硅溶胶收缩而裸露，然后按常规生产工艺对掩膜后的硅片表面进行酸腐蚀、清洗脱膜，即可形成规则且有规律的绒面。本发明工艺能制备出均匀的绒面，且经本发明制备的绒面，不仅可以扩大对太阳光谱中不同波长的吸收，极大地减少反射率，从而能进一步的提升太阳电池的光电转化效率，提升整体的经济效益，降低单位产能的生产成本。