一种新型铸锭坩埚及其制备方法

    公开(公告)号:CN104047048A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410271294.1

    申请日:2014-06-17

    Abstract: 本发明所述新型铸锭坩埚是在现有铸锭坩埚内壁表面喷涂常规氮化硅涂层的基础上,再进行二氧化硅浆料等诱导形核物的二次喷涂制得的提高铸锭收益率的高效铸锭坩埚,其底部的诱导形核物的喷涂还可以采用四边形、六边形等几何图形,该图形也可以带有凹凸结构,利于硅锭底部杂质的聚集与后续加工清除。所述高效铸锭坩埚在长晶过程中利用二氧化硅粉等对晶体硅诱导形核,可减少长晶初期硅晶体的位错、晶界等缺陷,提升长晶品质及硅晶体整体品质,从而进一步提升硅锭的收益率,提高整体的经济效益。

    一种比色内毒素传感检测方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118937316A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411068768.2

    申请日:2024-08-06

    Abstract: 本发明涉及一种内毒素传感检测方法,属于分析检测领域。所述的试剂由金纳米颗粒、磁珠、DNA、十六烷基三甲基溴化铵组成,其中,磁珠、DNA和CTAB的摩尔比为:1‑5:25‑50:10‑20;所述金纳米颗粒的质量浓度为0.02~0.1mg/mL。本发明的方法是根据阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵介导的金纳米颗粒在试纸上的颜色变化进行内毒素含量测定,当样品中有内毒素存在时,在表面活性剂作用下,金纳米颗粒会被表面活性剂包覆而发生聚集,由于金纳米颗粒的独特光学特性导致此时溶液的颜色由红色向蓝色转变。通过颜色的深浅和荧光光谱联用可实现对内毒素的准确定量检测。本方法灵敏度高,能够实现内毒素准确定量检测的目的,最小检出限为1.890μM。

    一种硅片掩膜制绒工艺

    公开(公告)号:CN104051573B

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201410271292.2

    申请日:2014-06-17

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种硅片掩膜制绒工艺,在硅片加工过程中,先用匀胶机在硅片表面涂覆一层厚度均匀且具有自身收缩性的混合硅溶胶,然后在硅溶胶涂层表面均匀沉积一层碳粉,经烘干或者静置处理后,硅片表面形成具有整齐结构掩膜层,相应面积的硅片表面由于硅溶胶收缩而裸露,然后按常规生产工艺对掩膜后的硅片表面进行酸腐蚀、清洗脱膜,即可形成规则且有规律的绒面。本发明工艺能制备出均匀的绒面,且经本发明制备的绒面,不仅可以扩大对太阳光谱中不同波长的吸收,极大地减少反射率,从而能进一步的提升太阳电池的光电转化效率,提升整体的经济效益,降低单位产能的生产成本。

    二氧化硅光刻胶掩膜制备黑硅的方法

    公开(公告)号:CN104701416A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201510093021.7

    申请日:2015-03-02

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅光刻胶掩膜制备黑硅的方法,属太阳能电池制备领域。在硅片加工过程中,先制备含有二氧化硅颗粒的光刻胶,然后利用匀胶机在硅片表面甩胶,形成掩膜层,取出后使用曝光机进行曝光,将曝光后的硅片放置在酸碱溶液中或等离子环境下刻蚀,经清洗脱膜后,在硅片表面形成规则且有规律的绒面,扩大了对太阳光谱中不同波长的吸收,极大地减少反射率,进一步提升了太阳电池的光电转化效率,降低单位产能的生产成本,具有更好的经济效益。

    一种能够进行光转化的膜

    公开(公告)号:CN112103359A

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN202011002711.4

    申请日:2020-09-22

    Inventor: 邓敏 徐冬梅 张琳

    Abstract: 本发明公开的属于太阳电池组件封装材料技术领域,具体为一种能够进行光转化的膜,包括光伏组件、电池背板、转化膜、滤色玻璃和防渗透层,所述光伏组件的底部粘接有电池背板,所述光伏组件的顶部粘接有转化膜,所述转化膜的顶部粘接有滤色玻璃,所述滤色玻璃的顶部粘接有防渗透层,其结构合理,转化膜的拉伸强度和断裂伸长率更优;具有更好的抗老化性能;能够实现吸收各种波长的紫外线光波;防止在封装材料与玻璃间产生漏电流,大量电荷在电池片表面集聚,从而导致光伏组件钝化失效性能变差;防止温湿度等环境条件会使接地边框和电池片之间形成漏电流,背板、玻璃、封装材料和边框间会形成漏电流通道,从而导致PID现象。

    一种硅片掩膜制绒工艺

    公开(公告)号:CN104051573A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410271292.2

    申请日:2014-06-17

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/02363

    Abstract: 一种硅片掩膜制绒工艺,在硅片加工过程中,先用匀胶机在硅片表面涂覆一层厚度均匀且具有自身收缩性的混合硅溶胶,然后在硅溶胶涂层表面均匀沉积一层碳粉,经烘干或者静置处理后,硅片表面形成具有整齐结构掩膜层,相应面积的硅片表面由于硅溶胶收缩而裸露,然后按常规生产工艺对掩膜后的硅片表面进行酸腐蚀、清洗脱膜,即可形成规则且有规律的绒面。本发明工艺能制备出均匀的绒面,且经本发明制备的绒面,不仅可以扩大对太阳光谱中不同波长的吸收,极大地减少反射率,从而能进一步的提升太阳电池的光电转化效率,提升整体的经济效益,降低单位产能的生产成本。

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