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公开(公告)号：CN115368898A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210813717.2
申请日：2022-07-12
申请人： 张家港安储科技有限公司
IPC分类号： C09K13/00 , C09K13/08 , C30B29/18 , C30B33/10 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种含氟离子的氧化硅蚀刻液，按照总质量百分比100%计，包括以下原料组分：含氟离子的化合物0.05‑10%、有机酸0.1‑20%、糖醇0.1‑20%，剩余为超纯水。该蚀刻液通过采用含氟离子的化合物能够根据需要有效地全部或部分去除氧化硅，另外通过有机酸和糖醇的添加，可以防止氧化硅蚀刻中或者蚀刻后在清洗过程中硅化合物聚合成为氧化硅纳米粒子从而在基底表面发生再沉积的情况，同时还能保护可能暴露在外的其他基底材料如氮化硅和多晶硅材料不受损伤。
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公开(公告)号：CN113652316A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110787696.7
申请日：2021-07-13
申请人： 张家港安储科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种不含季铵碱的清洗液，所述清洗液按照以下质量百分比的原料制成：胍或胍的衍生物的质量百分比1～20％，链烷醇胺的质量百分比1～20％，含氮的杂环的化合物金属腐蚀阻止剂的质量百分比0.01～10％，水的浓度为质量百分比60～99％。本发明中的清洗液不含季铵碱和易分解的抗氧化剂类金属阻止剂，并且有较好的环境稳定性，具有高效的铜表面有机残留物和研磨粒子去除能力，具有较低的铜的腐蚀速率和铜的表面粗糙度，还不会对铜表面产生吸附。
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公开(公告)号：CN113444590A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110663474.4
申请日：2021-06-16
申请人： 张家港安储科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液，包括所述清洗液按照以下质量百分比的原料制成：胍或胍的衍生物的质量百分比1～20％，链烷醇胺的质量百分比1～20％，抗氧化剂的质量百分比0.1～10％，可选的含氮杂环的金属腐蚀阻止剂的质量百分比0.01～5％。本发明中的清洗液不含季铵碱。该清洗液除了可以有效去除抛光后铜晶片表面残留的研磨颗粒、金属离子等残留并不对铜表面明显腐蚀，该清洗液可以对在半导体高级节点中使用的钴的阻碍层具有保护性能。
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公开(公告)号：CN113652316B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110787696.7
申请日：2021-07-13
申请人： 张家港安储科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种不含季铵碱的清洗液，所述清洗液按照以下质量百分比的原料制成：胍或胍的衍生物的质量百分比1～20％，链烷醇胺的质量百分比1～20％，含氮的杂环的化合物金属腐蚀阻止剂的质量百分比0.01～10％，水的浓度为质量百分比60～99％。本发明中的清洗液不含季铵碱和易分解的抗氧化剂类金属阻止剂，并且有较好的环境稳定性，具有高效的铜表面有机残留物和研磨粒子去除能力，具有较低的铜的腐蚀速率和铜的表面粗糙度，还不会对铜表面产生吸附。
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公开(公告)号：CN115232680A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202211003753.9
申请日：2022-08-04
申请人： 张家港安储科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于半导体晶圆清洗过程中的清洗液组合物，按照总质量百分比100%计，包括以下原料组分：羟胺或羟胺盐的化合物0.1‑40%、有机酸0.1‑10%、季铵碱0.1‑30%、链烷醇胺0‑20%，剩余为超纯水。本发明的清洗液组合物，其通过羟胺或羟胺盐的化合物能够起到部分还原表面吸附的氧化铈从而弱化氧化铈粒子和氧化硅表面的吸附力，而有机酸的添加可以和氧化铈表面的铈离子形成络合键从而打破氧化铈粒子和氧化硅表面的结合以达到去除氧化硅表面吸附的氧化铈纳米粒子，另外该清洗液在使用时处于碱性环境，不会对氧化硅和氮化硅表面造成损伤。
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公开(公告)号：CN113652317A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110805013.6
申请日：2021-07-16
申请人： 张家港安储科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，包括所述清洗组合物按照以下质量百分比的原料制成：有机碱的质量百分比1～20％，氨基酸络合剂的质量百分比0.05～20％，含氮的杂环化合物的质量百分比0.05～20％，水的质量百分比60～99％。本发明的清洗组合物，包含氨基酸为络合剂，增加对化学机械研磨后金属表面金属离子的络合，通过金属腐蚀抑制剂的选择与添加，抑制金属钴表面清洗过程中的腐蚀，保护金属钴表面，保证产品精确性，通过清洗组合物清洗抛光后的含金属的晶片，可去除抛光后晶片表面残留的研磨颗粒、金属离子等残留，降低金属表面粗燥度，降低清洗后表面缺陷，防止晶片在等待下一步工序过程中可能产生的金属腐蚀。
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公开(公告)号：CN220968295U
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202322618951.2
申请日：2023-09-26
申请人： 张家港安储科技有限公司
IPC分类号： B01D29/50 , B01D29/35 , B01D29/96 , B01D35/143 , B01D35/30
摘要： 本实用新型公开了一种便于维护的清洗液过滤装置，其包括：滤筒、罐体和转盘，所述转盘可旋转地水平设置罐体中，所述转盘顶面内凹设置有与之同心的圆槽，所述圆槽中间隔设置有数个阶梯孔，所述滤筒设置在阶梯孔中并向下延伸至罐体内，所述滤筒底部设置有滤网，所述滤筒顶部边缘设置有向外弯折并位于阶梯孔中的限位翻边。本实用新型所述的便于维护的清洗液过滤装置，可以进行清洗液的连续过滤生产，提升了生产效率和维护的便利性。
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公开(公告)号：CN216303238U
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202121658209.9
申请日：2021-07-21
申请人： 张家港安储科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种用于成品清洗液的灌装装置，包括灌装装置主体，所述灌装装置主体的下端设置有送料传输装置，所述送料传输装置的内部设置有灌装夹具，所述灌装夹具包括滑轨、夹具基座、夹具槽、瓶底吸盘、软体夹块，所述灌装夹具的上方设置有灌注枪，所述灌注枪的下端设置有无拉丝灌注头，所述无拉丝灌注头包括不锈钢管外壁、旋转环刀控制器、刀片、针头、针孔，所述灌注枪的上端外表面设置有气泡排放管，所述气泡排放管包括折弯排气口、直管、安装环、剖片半管。本实用新型所述的一种用于成品清洗液的灌装装置，具备灌装过程稳定，避免瓶子歪斜，掉落，没有清洗液拔丝等浪费、产生气泡影响质量，有效节省成本，质量保证等优点，带来更好的使用前景。
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公开(公告)号：CN219209560U
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202320794383.9
申请日：2023-04-12
申请人： 张家港安储科技有限公司
IPC分类号： B01F25/53
摘要： 本实用新型公开了一种基于气动隔膜泵的搅拌装置，其包括：搅拌桶、布液管、芯管、法兰和气动隔膜泵，所述气动隔膜泵的进口与出料筒之间设置有循环管相连接，所述布液管横向贯穿设置在搅拌桶中，所述芯管同心设置在布液管中，所述芯管尾端设置有柱塞，所述法兰中可转动地设置有与柱塞相连接的转轴，所述布液管底部间隔设置有位于搅拌桶中的布液孔，所述芯管的底部间隔设置有与布液孔一一对应的第一阀孔，所述布液管底部设置有位于搅拌桶外侧的排液孔，所述芯管的顶部设置有与排液孔对应的第二阀孔。本实用新型所述的基于气动隔膜泵的搅拌装置，可以进行原料的循环和搅拌，混合效果好，溶液的排出操作简便，降低了成本。
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