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公开(公告)号:CN114746981A
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202080082433.X
申请日:2020-11-24
Applicant: 康宁股份有限公司
Abstract: 本文描述了用于半导体制造工艺的玻璃晶片的实施方式。在一些实施方式中,玻璃晶片包括:玻璃基材,其包含顶表面、与顶表面相反的底表面以及顶表面与底表面之间的边缘表面;布置在玻璃基材的顶部的第一涂层,其中,第一涂层是片电阻为100至1,000,000欧姆每平方的经掺杂的晶体硅涂层;以及布置在玻璃基材的顶部的具有一层或多层的第二涂层,其中,第二涂层包括含硅涂层,其中,玻璃晶片在400nm至1000nm的整个波长范围上具有小于50%的平均透射率(T)。
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公开(公告)号:CN107926110A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680048644.5
申请日:2016-08-19
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H05K3/0029 , C03B33/0222 , C03C15/00 , C03C17/002 , C03C17/008 , C03C23/0025 , C03C23/007 , C03C2217/445 , C03C2217/70 , H01L21/4807 , H01L23/15 , H05K1/024 , H05K1/028 , H05K1/0306 , H05K1/036 , H05K1/115 , H05K3/002 , H05K3/107 , H05K3/388 , H05K3/4038 , H05K3/4629 , H05K2201/0195 , H05K2201/09509 , H05K2203/0143 , H05K2203/0743 , H05K2203/075 , H05K2203/0776 , H05K2203/0789 , H05K2203/107 , H05K2203/1194 , H05K2203/1545 , Y02P40/57
Abstract: 本文公开了具有低介电性质的玻璃基材组装件、结合有玻璃基材组装件的电子组装件以及制造玻璃基材组装件的方法。在一种实施方式中,基材组装件包含具有第一表面和第二表面且厚度小于约300μm的玻璃层110。所述基材组装件还包含设置在玻璃层的第一表面或第二表面中的至少一者上的介电层120。所述介电层响应具有10GHz的频率的电磁辐射具有小于约3.0的介电常数值。在一种实施方式中,玻璃层由退火玻璃制成,以使玻璃层响应频率为10GHz的电磁辐射具有小于约5.0的介电常数值和小于约0.003的耗散因子值。导电层142设置在介电层的表面上、介电层中或介电层下。
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公开(公告)号:CN104541365B
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201380017841.7
申请日:2013-02-07
Applicant: 康宁股份有限公司
Inventor: A·A·阿布拉莫夫 , R·A·贝尔曼 , D·C·布克宾德 , 庄大可 , J·J·多梅 , D·G·阿尼克斯 , L·加斯基尔 , K·C·康 , M·W·凯默尔 , 郭冠廷 , 林仁杰 , R·G·曼利 , J·C·托马斯 , 曾珮琏 , J-Z·J·张
IPC: H01L21/50
CPC classification number: C03C27/10 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B32B7/06 , B32B17/06 , B65G2249/02 , C03B33/07 , C03B33/091
Abstract: 一种从通过键合区域(40)键合到载体(10)的薄板移除薄板(20)的所需部分的方法,所述键合区域(40)围绕非键合区域(50),所述方法包括:形成周界通气孔(60),所述周界通气孔限定所需部分(56)的周界,其中所述周界通气孔设置在所述非键合区域内且深度≥所述薄板厚度(22)的50%。在移除所需部分之前,可将装置加工到薄板上。在某些工艺中,切割载体,从而其可以更小尺寸加工,仍保持气密密封边缘。切割后,可将装置的附加部分加工到薄板上,并通过从载体移除薄板的所需部分而移除所需部分。
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公开(公告)号:CN104541365A
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201380017841.7
申请日:2013-02-07
Applicant: 康宁股份有限公司
Inventor: A·A·阿布拉莫夫 , R·A·贝尔曼 , D·C·布克宾德 , 庄大可 , J·J·多梅 , D·G·阿尼克斯 , L·加斯基尔 , K·C·康 , M·W·凯默尔 , 郭冠廷 , 林仁杰 , R·G·曼利 , J·C·托马斯 , 曾珮琏 , J-Z·J·张
IPC: H01L21/50
CPC classification number: C03C27/10 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B32B7/06 , B32B17/06 , B65G2249/02 , C03B33/07 , C03B33/091
Abstract: 一种从通过键合区域(40)键合到载体(10)的薄板移除薄板(20)的所需部分的方法,所述键合区域(40)围绕非键合区域(50),所述方法包括:形成周界通气孔(60),所述周界通气孔限定所需部分(56)的周界,其中所述周界通气孔设置在所述非键合区域内且深度≥所述薄板厚度(22)的50%。在移除所需部分之前,可将装置加工到薄板上。在某些工艺中,切割载体,从而其可以更小尺寸加工,仍保持气密密封边缘。切割后,可将装置的附加部分加工到薄板上,并通过从载体移除薄板的所需部分而移除所需部分。
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公开(公告)号:CN115175809A
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202180016325.7
申请日:2021-02-15
Applicant: 康宁股份有限公司
Abstract: 制品以及包含薄片和载体的制品(例如,玻璃制品)的制造方法,其中,采用多层改性(涂)层(例如,交替的阳离子/阴离子聚合物涂层)将薄片与载体粘结到一起,以及相关的沉积方法,载体,或者两者,从而控制薄片与载体之间的范德华力、氢键和共价键。改性层将薄片与载体粘结到一起,具有足够的粘结强度来防止薄片与载体在高温(≤400℃)加工过程中的分层同时还防止在此类加工过程中在片材之间形成永久性粘结。
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公开(公告)号:CN107097004A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201710300627.2
申请日:2013-02-07
Applicant: 康宁股份有限公司
Inventor: A·A·阿布拉莫夫 , R·A·贝尔曼 , D·C·布克宾德 , 庄大可 , J·J·多梅 , D·G·阿尼克斯 , L·加斯基尔 , K·C·康 , M·W·凯默尔 , 郭冠廷 , 林仁杰 , R·G·曼利 , J·C·托马斯 , 曾珮琏 , J-Z·J·张
CPC classification number: C03C27/10 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B32B7/06 , B32B17/06 , B65G2249/02 , C03B33/07 , C03B33/091
Abstract: 本发明涉及切割设备及切割方法。切割设备,包括:头部,所述头部具有多个孔;激光源,所述激光源联接到所述多个孔中的第一孔从而将激光束输送通过所述第一孔;以及冷却流体源,所述冷却流体源与所述多个孔中的至少第二孔和至少第三孔流体连通,其中从所述第一孔延伸到所述第二孔的第一线相对于从所述第一孔延伸到所述第三孔的第二线以第一角度设置。
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公开(公告)号:CN103080226B
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201180031728.5
申请日:2011-05-23
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: C08L65/00 , C09D11/102 , C09D11/30 , H01B1/12
CPC classification number: C09D11/36 , C08G2261/124 , C08G2261/141 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/92 , C08K5/01 , C08L65/00
Abstract: 一种制剂,包含:有机半导体材料;以及包含以下至少一种物质的载体液体:式(III)或式(II)或者式(III)与(II)的组合的第一液体;以及式(I)的饱和或不饱和环状亚烃基化合物的第二液体,其中各R1-8、x和n如本文所定义;以及本文所定义的任选的第三液体载体。本文还公开了用本文所限定的制剂制备的半导体制品。
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公开(公告)号:CN103080226A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180031728.5
申请日:2011-05-23
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: C09D11/36 , C08G2261/124 , C08G2261/141 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/92 , C08K5/01 , C08L65/00
Abstract: 一种制剂,包含:有机半导体材料;以及包含以下至少一种物质的载体液体:式(III)或式(II)或者式(III)与(II)的组合的第一液体;以及式(I)的饱和或不饱和环状亚烃基化合物的第二液体,其中各R1-8、x和n如本文所定义;以及本文所定义的任选的第三液体载体。本文还公开了用本文所限定的制剂制备的半导体制品。
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