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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107107561B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201580069544.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 康宁公司
Inventor： 本尼迪克特·约克·约翰逊 , 普兰蒂克·玛祖德 , 卡莫尔·克什尔·索尼
IPC: B32B17/06 , C01B32/184
Abstract: 本文描述的是从形成基板转移石墨烯到目标基板的改进方法。特别是，本文描述的方法可用于经由非聚合方法从金属(例如铜)形成基板转移高品质化学气相沉积生长的单层石墨烯。所述改进方法提供在结构中具有较少缺陷的石墨烯材料。
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公开(公告)号：CN103379952A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201180057186.9
申请日：2011-11-03
Applicant: 康宁公司
Inventor： 本尼迪克特·约克·约翰逊 , 史蒂文·博拉吉·奥古米 , 米利森特·凯·韦尔登·拉芬
CPC classification number: B01J20/28045 , B01D53/02 , B01D2253/102 , B01D2253/25 , B01D2253/3425 , B01D2257/602 , B01J20/20 , B01J20/28057 , B01J20/3204 , B01J20/3246 , B01J20/3253 , C01B32/354
Abstract: 一种具有经处理的活性碳表面的流通式衬底，所述流通式衬底用于例如从流体中除去有毒金属。
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公开(公告)号：CN108137390A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057567.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 康宁公司
Inventor： 本尼迪克特·约克·约翰逊 , 刘鑫源 , 普兰蒂克·玛祖德
CPC classification number: B32B37/025 , B32B7/06 , B32B9/04 , B32B37/26 , B32B38/10 , B32B2037/268 , B32B2255/26 , C01B32/194 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2004/24 , C03C17/22 , C03C2217/28 , C23C16/01 , C23C16/26
Abstract: 本文公开了用于将石墨烯膜转移到基底上的方法，所述方法包括将聚合物层施加到石墨烯膜的第一表面，其中所述石墨烯膜的第二表面与生长基底接触；将热释放聚合物层施加到所述聚合物层上；去除所述生长基底以形成包括暴露的石墨烯表面的转移基底；以及使所述暴露的石墨烯表面与目标基底接触。本文还公开了包括石墨烯膜、热释放聚合物层和聚合物层的转移基底。
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公开(公告)号：CN107428600A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580073072.1
申请日：2015-12-16
Applicant: 康宁公司 , 光子科学研究所 , 加泰罗尼亚高级研究院
Inventor： 本尼迪克特·约克·约翰逊 , 刘鑫源 , 普兰蒂克·玛祖德 , 卡莫尔·克什尔·索尼 , 米里亚姆·马切纳·马丁-法兰西斯 , 瓦莱里奥·普兰尼日 , 陈桐莱
IPC: C03C17/22 , C03C15/00 , C01B32/194
Abstract: 本文中描述了将石墨烯从成型基板转移到目标基板的改进方法。具体来说，本文中描述的方法可用于将高质量的通过化学气相沉积生长的单层石墨烯从金属(例如，铜)成型基板转移到超薄柔性玻璃靶材。改进工艺提供在结构上具较少缺陷的石墨烯材料。
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公开(公告)号：CN107107561A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069544.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 康宁公司
Inventor： 本尼迪克特·约克·约翰逊 , 普兰蒂克·玛祖德 , 卡莫尔·克什尔·索尼
IPC: B32B17/06 , C01B32/184
Abstract: 本文描述的是从形成基板转移石墨烯到目标基板的改进方法。特别是，本文描述的方法可用于经由非聚合方法从金属(例如铜)形成基板转移高品质化学气相沉积生长的单层石墨烯。所述改进方法提供在结构中具有较少缺陷的石墨烯材料。
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