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公开(公告)号:CN116057837A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202180058716.5
申请日:2021-08-03
Applicant: 康姆艾德公司
Inventor: 曼努埃尔·福尔·德姆·布罗克 , 罗兰·施利夫 , 安德烈·格雷德 , 丹尼尔·格鲁纳 , 安东·拉班克
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明描述了一种用于生成各自具有相应的输出频率(fi)、相位(ΦL)和幅度(Ai)的多个同步射频(RF)输出信号(RFout,i)的控制单元(2、21),该控制单元(2、21)包括:信号比较器(3),其被配置为将具有参考频率(fref)和参考相位(Φref)的参考信号(4)与具有反馈频率(fPLL)和反馈相位(ΦPLL)的反馈信号(5)进行比较,并且被配置为生成表示参考信号(4)和反馈信号(5)之间的差异的误差信号(6、6’);以及数据处理单元(7),其接收由信号比较器(3)生成的误差信号(6、6’)作为输入信号,并根据误差信号(6、6’)输出多个波形调谐信号(FTWPLL、FTWi);其中多个波形发生器(DDSPLL、DDSi)各自接收由数据处理单元(7)输出的多个波形调谐信号(FTWPLL、FTWi)中的至少一个,其中每个波形发生器(DDSPLL、DDSi)根据接收到的相应的波形调谐信号(FTWPLL、FTWi)生成时间相关的幅度信号(APLL(t)、Ai(t)),其中所生成的多个幅度信号(APLL(t)、Ai(t))的一个预定的幅度信号(APLL(t))表示输入到信号比较器(3)的反馈信号(5),并且其他幅度信号(Ai(t))表示要生成的相应的射频(RF)输出信号(RFout,i),并且其中数据处理单元(7)被配置为既调整与表示反馈信号(5)的所述一个预定的幅度信号(APLL(t))相对应的波形调谐信号(FTWPLL)以便使误差信号(6、6’)最小化,又基于表示反馈信号(5)的预定的幅度信号(APLL(t))的调整后的波形调谐信号(FTWPLL)而调整与表示射频(RF)输出信号(RFout,i)的其他幅度信号(Ai(t))相对应的其他波形调谐信号(FTWi)。本发明还描述了分别用于生成多个同步射频(RF)输出信号(RFout,i)的射频(RF)功率发生器(1、20、30)、至少两个这样的射频(RF)功率发生器(1、20、30)的布置(35、40、45、50、55)和方法。
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公开(公告)号:CN112566349A
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:CN202010930509.1
申请日:2020-09-07
Applicant: 康姆艾德公司
Abstract: 本发明提供了一种射频功率发生器,其包括:功率放大器;至少一个采样器,其被配置为对功率放大器的输出端处的射频信号进行采样;RF输出端,其被配置为从发生器输出RF信号;信号发生器,其被配置为生成RF输入信号并将RF输入信号提供给功率放大器;控制器,其包括数字控制部分和模拟控制部分,其中数字控制部分和模拟控制部分中的一个或两个被配置为至少控制功率放大器和/或信号发生器;在至少一个采样器和控制器之间的模拟反馈路径,该模拟反馈路径使来自至少一个采样器的信号的模拟信号表示能够被提供给控制器;以及在至少一个采样器和控制器之间的数字反馈路径,该数字反馈路径使来自至少一个采样器的信号的数字信号表示能够被提供给控制器。
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公开(公告)号:CN113874979B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202080035460.1
申请日:2020-05-22
Applicant: 康姆艾德公司
Abstract: 描述了一种射频发生器(40),其包括:包括至少一个功率放大器(42)的功率放大器模块(41)、与至少一个功率放大器的输出端连接以生成至少一个拾取信号的至少一个拾取模块(44)、以及被配置为与至少一个放大器的相应的输出端连接并被配置为输出至少一个射频输出信号的至少一个输出端(RFOUT1)。射频发生器包括:测量模块(50),其被配置为接收至少一个拾取信号并基于至少一个拾取信号生成至少一个测量信号(52);以及射频信号生成模块(48),其被配置为生成不同频率的两个或更多个载波信号,并将至少一个驱动信号作为输入提供给功率放大器模块;以及调节模块(54),其被配置为接收至少一个测量信号,并基于至少一个测量信号调节至少一个射频输出信号的功率。
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公开(公告)号:CN116830237A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202080108196.X
申请日:2020-12-30
Applicant: 康姆艾德公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于产生优选地用于等离子腔室的RF信号的方法,包括以下步骤:基于第一组控制参数产生输入RF信号;检测至少一个失真RF信号;将所述至少一个失真RF信号与输入RF信号同步,以及;确定目标RF信号与被同步的所述至少一个失真RF信号之间的差异;如果所述差异大于预定阈值,则基于目标RF信号与被同步的所述至少一个失真RF信号的比较来确定第二组控制参数;以及基于第二组控制参数产生适配的输入RF信号,使得所述目标RF信号与所述失真RF信号之间的差异减少。
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公开(公告)号:CN119452452A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202380052561.3
申请日:2023-07-10
Applicant: 康姆艾德公司
Abstract: 一种特别是用于等离子体应用的射频发生器,即射频发生器,包括:冷却元件;至少具有第一输出端的第一射频功率级和具有第二输出端的第二射频功率级,所述第一射频功率级和所述第二射频功率级均安装到冷却元件上;安装到冷却元件上的射频组合网络,该射频组合网络包括至少第一输入端和第二输入端;射频分配元件,其中射频分配元件包括具有多个导体的印刷电路板,即PCB,其中射频分配元件的导体被布置成使得相应地第一射频功率级的第一输出端连接到射频组合网络的第一输入端并且第二射频功率级的第二输出端与射频组合网络的第二输入端连接,其中射频分配元件的印刷电路板垂直于冷却元件布置。
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公开(公告)号:CN113196445B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN201980083139.8
申请日:2019-12-12
Applicant: 康姆艾德公司
Abstract: 一种射频(RF)功率放大器,其包括至少一个场效应晶体管FET,其中,该至少一个FET的源极端子接地。包括至少一个二极管,其中,所述至少一个二极管的阴极连接到所述至少一个FET的漏极端子,并且所述至少一个二极管的阳极接地。输出网络连接到所述至少一个FET的漏极端子。输入网络连接到所述至少一个FET的栅极端子。
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公开(公告)号:CN117597764A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202280046821.1
申请日:2022-07-04
Applicant: 康姆艾德公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及用于机器学习等离子系统中的至少一个不规则性的检测的方法,等离子系统特别是RF供电的等离子处理系统,所述方法包括:‑提供至少一个输入信号(210),每个输入信号(210)与用于等离子系统的功率递送系统(1)的模拟信号相关和/或与功率递送系统(1)和/或等离子系统的另一个特征相关,所述至少一个输入信号(210)具有指示所述等离子系统中的不规则性的至少一个不规则性特征,‑执行机器学习过程(310),其中具有所述至少一个不规则性特征的所述至少一个输入信号(210)由可编程电路(10)处理,以训练等离子系统中的不规则性的检测。
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公开(公告)号:CN113874979A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202080035460.1
申请日:2020-05-22
Applicant: 康姆艾德公司
Abstract: 描述了一种射频发生器(40),其包括:包括至少一个功率放大器(42)的功率放大器模块(41)、与至少一个功率放大器的输出端连接以生成至少一个拾取信号的至少一个拾取模块(44)、以及被配置为与至少一个放大器的相应的输出端连接并被配置为输出至少一个射频输出信号的至少一个输出端(RFOUT1)。射频发生器包括:测量模块(50),其被配置为接收至少一个拾取信号并基于至少一个拾取信号生成至少一个测量信号(52);以及射频信号生成模块(48),其被配置为生成不同频率的两个或更多个载波信号,并将至少一个驱动信号作为输入提供给功率放大器模块;以及调节模块(54),其被配置为接收至少一个测量信号,并基于至少一个测量信号调节至少一个射频输出信号的功率。
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公开(公告)号:CN119366273A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202380035419.8
申请日:2023-04-21
Applicant: 康姆艾德公司
Abstract: 印刷电路板结构(10),特别是用于RF发生器的印刷电路板结构,包括:热扩散件(14);具有上表面(18)和下表面(28)的基础印刷电路板,即基础PCB(22),其中基础PCB(22)包括下表面处的具有至少一个导体线(24)和/或至少一个接触垫(38)的金属层(30);接触层(26),其中接触层(26)包括与基础PCB(22)的金属层(30)直接连接的上表面以及下表面(20);其中接触层(26)的下表面(20)通过接合层(16)接合到热扩散件(14)。
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公开(公告)号:CN112586090B
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN201880096734.0
申请日:2018-08-20
Applicant: 康姆艾德公司
Abstract: 一种装置(100)包括:在第一位置处具有射频(RF)结构(108、114)的电路板(102),该RF结构由电路板的导电迹线形成;载热体(118);以及将电路板(102)和载热体(118)彼此耦合的多层冷却结构(116),该多层冷却结构(116)包括在第一位置处邻近RF结构的第一叠层(120)以及位于第二位置处的第二叠层(122、132),第一叠层(120)包括邻近载热体(118)的介电层(126)以及将介电层(126)和电路板(102)彼此耦合的热界面材料(TIM)(124),介电层(126)的导热性和刚性比TIM(124)更高,第二叠层(122、132)包括邻近载热体(118)的金属层(134)以及将金属层(134)和电路板(102)彼此耦合的TIM(136)。
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