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公开(公告)号：CN113557582B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202080020451.5
申请日：2020-03-03
申请人： 康姆艾德公司
摘要： 一种能够在MHz范围内在至少50瓦下运行的射频功率可变电容器。该电容器具有复合HDK‑NDK陶瓷电介质。例如，HDK(高介电常数)组分包括钛酸锶钡活性基质。通过添加金属或准金属氧化物如硼酸镁(NDK‑低介电常数)来减少或消除声共振，该金属或准金属氧化物在射频功率域中充当声共振降低剂(ARRA)。通过添加ARRA(曲线22和21)消除先前在现有技术射频功率可变电容器中在500V(曲线25)或1100V(曲线26)偏置电压下发生的声共振。
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公开(公告)号：CN113597653A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202180001930.7
申请日：2021-02-16
申请人： 康姆艾德公司
发明人： W·比格勒
摘要： 本发明涉及一种真空电容器(1，30)，包括：容纳真空介电介质的壳体(9)、被所述真空介电介质分隔的第一电极(12)和第二电极(13)，该壳体(9)包括与第一电极(12)电接触的第一传导轴环(2)和与第二电极(13)电接触的第二传导轴环，该第一传导轴环(2)和第二传导轴环(3)被壳体(9)的绝缘元件(4)分隔，其中该壳体(9)显示出至少一个突出边缘(6)，所述突出边缘(6)与最接近的第一传导轴环(2)或第二传导轴环(3)电接触，其中该真空电容器(1，30)包括至少一个保护装置(7，37)，所述至少一个保护装置在真空壳体的外部覆盖突出边缘(6)，其中该保护装置(7，37)至少部分地由弹性体制成，其中该保护装置(7，37)的至少外表面(7b，37b)是导电的并且与最接近所述突出边缘(6)的传导轴环处于相同的电势，并且其中该保护装置(7，37)的外表面(7b，37b)的曲率半径大于所述突出边缘(6)的曲率半径。
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公开(公告)号：CN107004507B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201480081471.8
申请日：2014-09-04
申请人： 康姆艾德公司
摘要： 公开了一种功率电容器(7)，其用于RF功率发送系统。所述功率电容器包括至少两个被包括固体顺介电材料的电容器电介质(17)分开的RF电极(18、19)，所述固体顺介电材料的相对介电常数可通过改变在DC偏压电极(10、26、28)处施加于所述电介质(17)上的DC偏压来控制。还公开了复合电容器配置、RF功率系统及控制所述功率电容器的方法。
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公开(公告)号：CN105531777B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480030735.7
申请日：2014-05-28
申请人： 康姆艾德公司
摘要： 真空可变电容器(1)，包括一个用于减少在整个波纹管(11)的压力差的预真空封闭罩(21)，其中驱动装置(34；40)设置在所述真空可变电容器(1)的封闭罩(2；21)的外部。在所述驱动系统上的真空力负载由此可以减小，从而使所述可移动电极(7)的更快速度运动，更快地调整所述真空可变电容器(1)的电容以及更长的寿命。
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公开(公告)号：CN112586090B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201880096734.0
申请日：2018-08-20
申请人： 康姆艾德公司
摘要： 一种装置(100)包括：在第一位置处具有射频(RF)结构(108、114)的电路板(102)，该RF结构由电路板的导电迹线形成；载热体(118)；以及将电路板(102)和载热体(118)彼此耦合的多层冷却结构(116)，该多层冷却结构(116)包括在第一位置处邻近RF结构的第一叠层(120)以及位于第二位置处的第二叠层(122、132)，第一叠层(120)包括邻近载热体(118)的介电层(126)以及将介电层(126)和电路板(102)彼此耦合的热界面材料(TIM)(124)，介电层(126)的导热性和刚性比TIM(124)更高，第二叠层(122、132)包括邻近载热体(118)的金属层(134)以及将金属层(134)和电路板(102)彼此耦合的TIM(136)。
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公开(公告)号：CN117581230A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280046817.5
申请日：2022-06-24
申请人： 康姆艾德公司
IPC分类号： G06F30/34
摘要： 本发明涉及一种用于改善射频系统(1)、特别是射频功率输送系统(1)中的数字信号处理的方法，该方法包括：‑提供(101)至少一个输入信号(210)，优选与射频系统(1)的射频信号相关，‑执行(102)处理程序(310)，其中该至少一个输入信号(210)通过可编程电路(10)利用处理的至少一个可配置的参数重复地处理，其中该至少一个参数的配置针对该至少一个输入信号(210)的每个处理改变，以取得相应的处理结果(220)，‑基于这些处理结果(220)确定(103)针对配置的优化的至少一个参数结果(240)，‑提供(104)所确定的至少一个参数结果来用于改善的数字信号处理。
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公开(公告)号：CN110326216B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880012820.9
申请日：2018-02-19
申请人： 康姆艾德公司
IPC分类号： H03F1/52 , H03F3/189 , H05H1/46 , H01J37/32 , H03K17/082
摘要： 本发明描述了一种放大器电路，用于提供至少100W、优选至少200W、最优选至少250W的输出，包括场效应晶体管(111、113)。场效应晶体管(111、113)的漏极与保护反馈电路(400)连接。保护反馈电路(400)被设置用于：如果场效应晶体管(111、113)的栅极和漏极之间的电压超过反馈阈值电压(355)，则减小场效应晶体管(111、113)的漏极处的过电压能量。本发明还描述了一种包括放大器电路的射频放大器、包括射频放大器的电射频发生器、和包括电射频发生器的等离子处理系统。本发明最后描述了一种保护放大器电路中的场效应晶体管(111、113)的方法。
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公开(公告)号：CN113597653B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202180001930.7
申请日：2021-02-16
申请人： 康姆艾德公司
发明人： W·比格勒
摘要： 本发明涉及一种真空电容器(1，30)，包括：容纳真空介电介质的壳体(9)、被所述真空介电介质分隔的第一电极(12)和第二电极(13)，该壳体(9)包括与第一电极(12)电接触的第一传导轴环(2)和与第二电极(13)电接触的第二传导轴环，该第一传导轴环(2)和第二传导轴环(3)被壳体(9)的绝缘元件(4)分隔，其中该壳体(9)显示出至少一个突出边缘(6)，所述突出边缘(6)与最接近的第一传导轴环(2)或第二传导轴环(3)电接触，其中该真空电容器(1，30)包括至少一个保护装置(7，37)，所述至少一个保护装置在真空壳体的外部覆盖突出边缘(6)，其中该保护装置(7，37)至少部分地由弹性体制成，其中该保护装置(7，37)的至少外表面(7b，37b)是导电的并且与最接近所述突出边缘(6)的传导轴环处于相同的电势，并且其中该保护装置(7，37)的外表面(7b，37b)的曲率半径大于所述突出边缘(6)的曲率半径。
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公开(公告)号：CN112566349B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010930509.1
申请日：2020-09-07
申请人： 康姆艾德公司
摘要： 本发明提供了一种射频功率发生器，其包括：功率放大器；至少一个采样器，其被配置为对功率放大器的输出端处的射频信号进行采样；RF输出端，其被配置为从发生器输出RF信号；信号发生器，其被配置为生成RF输入信号并将RF输入信号提供给功率放大器；控制器，其包括数字控制部分和模拟控制部分，其中数字控制部分和模拟控制部分中的一个或两个被配置为至少控制功率放大器和/或信号发生器；在至少一个采样器和控制器之间的模拟反馈路径，该模拟反馈路径使来自至少一个采样器的信号的模拟信号表示能够被提供给控制器；以及在至少一个采样器和控制器之间的数字反馈路径，该数字反馈路径使来自至少一个采样器的信号的数字信号表示能够被提供给控制器。
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