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公开(公告)号:CN1896302A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200610092768.1
申请日:2006-06-14
Applicant: 应用膜公司
Inventor: 迈克尔·W.·斯托厄尔
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C14/34 , C23C14/54 , H01J37/3405
Abstract: 公开一种在溅射系统中用于控制离子密度和溅射速率的方法。在一个实施例中,加第一脉冲宽度功率信号到阴极,从而产生较高的浓度离子。然后,减小第一脉冲宽度功率信号的脉冲宽度,从而增大溅射速率和减小阴极周围的离子密度。其次,重复该过程以产生调制的信号。
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公开(公告)号:CN1958840A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610143249.3
申请日:2006-11-01
Applicant: 应用膜公司
Inventor: 迈克尔·W.·斯托厄尔
IPC: C23C16/00 , C23C16/52 , C23C16/448 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/029 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/52 , H01J37/32201
Abstract: 公开了一种在化学汽相淀积过程中生成膜的方法。一个实施例包括:产生具有第一脉冲振幅的第一电脉冲;使用第一电脉冲产生第一密度的原子团化物质;使用第一密度的原子团化物质中的原子团化物质分解原料气体,由此产生第一淀积材料;将第一淀积材料淀积到衬底上;产生具有第二脉冲振幅的第二电脉冲,其中,第二脉冲振幅与第一脉冲宽度不同;使用第二电脉冲产生第二密度的原子团化物质;使用第二密度的原子团化物质中的原子团化物质分解原料气体,由此产生第二淀积材料;和,将第二多种淀积材料淀积到第一淀积材料上。
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公开(公告)号:CN101974732A
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN201010277159.X
申请日:2006-06-14
Applicant: 应用膜公司
Inventor: 迈克尔·W.·斯托厄尔
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C14/34 , C23C14/54 , H01J37/3405
Abstract: 公开一种在溅射系统中用于控制离子密度和溅射速率的方法。在一个实施例中,加第一脉冲宽度功率信号到阴极,从而产生较高的浓度离子。然后,减小第一脉冲宽度功率信号的脉冲宽度,从而增大溅射速率和减小阴极周围的离子密度。其次,重复该过程以产生调制的信号。
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公开(公告)号:CN1958843A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610094141.X
申请日:2006-06-27
Applicant: 应用膜公司 , 应用材料有限及两合公司
Inventor: 迈克尔·W.·斯托厄尔 , 迈克尔·莱尔 , 史蒂文·维德尔 , 乔斯·曼纽尔·迪格兹-坎波
IPC: C23C16/52 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/515
Abstract: 用于微波直线放电源功率函数斜坡的系统和方法,本发明的一个实施例是在基片上沉积薄膜的系统。这个系统包括:真空室;放置在真空室内的直线放电管;配置成产生微波功率信号的磁控管,该信号可以加到直线放电管上;配置成提供信号到磁控管的功率源,和与功率源连接的脉冲控制器。该脉冲控制器配置成控制多个脉冲的占空比,多个脉冲的频率,和/或多个脉冲的轮廓。
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公开(公告)号:CN1896296A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200610092769.6
申请日:2006-06-14
Applicant: 应用膜公司
Inventor: 迈克尔·W.·斯托厄尔
CPC classification number: H01J37/32137 , H01J37/32027 , H01J37/32036 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/34
Abstract: 一个包含溅射系统的实施例,包括:真空室;配置成传输基片通过真空室的基片传输系统;用于支承溅射靶的阴极,该阴极至少部分是在真空室内;和配置成提供功率给阴极的功率源,且该功率源配置成输出调制的功率信号。与实施方案有关,功率源可以配置成输出幅度调制的功率信号;频率调制的功率信号;脉冲宽度功率信号;脉冲位置功率信号;脉冲幅度调制的功率信号;或任何其他类型调制的功率信号或能量信号。
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