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公开(公告)号：CN101243536B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200680030403.4
申请日：2006-08-16
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 本发明揭露一种诊断半导体晶圆处理室中的电弧问题的方法及系统。该方法包括将一电压探针耦接至处理室中的制程气体分配面板；以及激活RF电力源以在面板与基材晶圆之间产生一等离子体。该方法亦可包括在RF电力源激活的过程中，量测面板DC偏压电压随着时间变化的函数，其中在面板上所量测的电压中的一尖峰值(spike)指出在处理室中发生一电弧(arcing)现象。本发明亦揭露于半导体晶圆处理室中减少电弧的方法及系统。
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公开(公告)号：CN102067279A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980124391.5
申请日：2009-05-28
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： R·萨卡拉克利施纳 , D·杜鲍斯 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , H·姆萨德
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23F4/00
CPC classification number: F16K31/0655 , B08B5/00 , B08B7/0021 , C23C16/4405 , C23C16/4409 , C23C16/45561 , F16K1/221 , F16K1/224 , F16K31/06 , F16K31/088 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提出一种用以清洁一工艺腔室的方法与设备。在一实施例中，本发明揭示一工艺腔室，其包括一远程等离子源与一具有至少两个工艺区域的工艺腔室。各工艺区域包括：一基材支撑组件，其设置在该工艺区域中；一气体散布系统，其配置以提供气体到该基材支撑组件上方的该工艺区域内；以及一气体通道，其配置以提供气体到该基材支撑组件下方的该工艺区域内。一第一气体导管是配置以将一清洁试剂从该远程等离子源经由该气体散布组件流入各该工艺区域，而一第二气体导管是配置以将来自该第一气体导管的该清洁试剂的一部分转向到各该工艺区域的该气体通道。
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公开(公告)号：CN101243536A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680030403.4
申请日：2006-08-16
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 本发明揭露一种诊断半导体晶圆处理室中的电弧问题的方法及系统。该方法包括将一电压探针耦接至处理室中的制程气体分配面板；以及激活RF电力源以在面板与基材晶圆之间产生一等离子体。该方法亦可包括在RF电力源激活的过程中，量测面板DC偏压电压随着时间变化的函数，其中在面板上所量测的电压中的一尖峰值(spike)指出在处理室中发生一电弧(arcing)现象。本发明亦揭露于半导体晶圆处理室中减少电弧的方法及系统。
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