公开(公告)号：CN101939818A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104622.6

申请日：2009-01-12

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： S·拉斯 ,  E·K·金 ,  B·H·金 ,  M·J·希蒙斯 ,  F·C·斯米特

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  Y10T428/30

Abstract: 在此揭示用来制造具有范围在90纳米以下的特征结构尺寸的半导体组件的方法及结构。在本发明的一实施方式中，揭示一种用来处理基板的方法，包括沉积一抗反射涂层到一基板的一表面上，沉积一促黏层到该抗反射涂层上；及沉积一光阻材料到该促黏层上。在本发明的另一实施方式中，揭示一种半导体基板结构，包括一介电性基板；一非晶型碳层，其沉积在该介电层上；一抗反射涂层，其沉积在该非晶型碳层上；一促黏层，其沉积在该抗反射涂层上；及一光阻材料，其沉积在该促黏层上。