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公开(公告)号:CN101504906B
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN200810167498.5
申请日:2008-10-10
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明提供一种离子束导管。还提供具有这种离子束导管的离子注入器。该导管在该注入器中位于与待注入晶片相邻的位置,以在注入期间限制用于晶片中和的带电粒子,该导管包括一个或多个壁,所述一个或多个壁限定了穿过该导管以允许离子束通过的中心钻孔,其中所述一个或多个壁被构成为使得该中心钻孔逐渐变细。有利地,由于导管具有向外逐渐变细的中心钻孔,由此缓解了当离子束通过导管时射束撞击的问题。
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公开(公告)号:CN101504906A
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200810167498.5
申请日:2008-10-10
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明提供一种离子束导管。还提供具有这种离子束导管的离子注入器。该导管在该注入器中位于与待注入晶片相邻的位置,以在注入期间限制用于晶片中和的带电粒子,该导管包括一个或多个壁,所述一个或多个壁限定了穿过该导管以允许离子束通过的中心钻孔,其中所述一个或多个壁被构成为使得该中心钻孔逐渐变细。有利地,由于导管具有向外逐渐变细的中心钻孔,由此缓解了当离子束通过导管时射束撞击的问题。
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