公开(公告)号：CN101147227A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009501.X

申请日：2006-03-22

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： R·D·戈德堡 ,  C·J·S·伯吉斯 ,  A·S·第维尼 ,  D·G·阿默 ,  D·柯克伍德

IPC: H01J37/08

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/082

Abstract: 本发明涉及适合于离子注入机(10)的离子源(14)，其包括阴极(20)和反阴极(44)。典型的，离子源保持在真空下并使用弧室(16)中产生的等离子体制造离子。从弧室提取等离子体离子，之后将其注入到半导体晶片(12)中。根据本发明的离子源进一步包括发射电子到弧室中的阴极(40)；安置在弧室使得由此阴极发射的电子是入射在其上的电极(44)；用于给该电极加偏压的一个或一个以上的电压电位源(76)；和电压电位调节器(82)，其可操作用于在正向偏压电极从而作为阳极的电压电位源和负向偏压电极从而作为反阴极的电压电位源之间转换。

公开(公告)号：CN101147227B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680009501.X

申请日：2006-03-22

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： R·D·戈德堡 ,  C·J·S·伯吉斯 ,  A·S·第维尼 ,  D·G·阿默 ,  D·柯克伍德

IPC: H01J37/08

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/082

Abstract: 本发明涉及适合于离子注入机(10)的离子源(14)，其包括阴极(20)和反阴极(44)。典型的，离子源保持在真空下并使用弧室(16)中产生的等离子体制造离子。从弧室提取等离子体离子，之后将其注入到半导体晶片(12)中。根据本发明的离子源进一步包括发射电子到弧室中的阴极(40)；安置在弧室使得由此阴极发射的电子是入射在其上的电极(44)；用于给该电极加偏压的一个或一个以上的电压电位源(76)；和电压电位调节器(82)，其可操作用于在正向偏压电极从而作为阳极的电压电位源和负向偏压电极从而作为反阴极的电压电位源之间转换。