公开(公告)号：CN106463392B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201580032888.X

申请日：2015-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·C·南古伊

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/301

Abstract: 描述了用于划切半导体晶片的方法和设备，其中，每一个晶片具有多个集成电路。在示例中，等离子体蚀刻腔室包括设置在等离子体蚀刻腔室的上部区域中的等离子体源。等离子体蚀刻腔室也包括设置在等离子体源下方的阴极组件。阴极组件包括用于支撑基板载体的背侧的内侧部分的冷却RF供电的卡盘。阴极组件也包括冷却RF隔离的支撑件，所述Rf隔离的支撑件围绕所述RF供电的卡盘但与所述RF供电的卡盘隔离。所述RF隔离的支撑件用于支撑基板载体的背侧的外侧部分。

公开(公告)号：CN106463392A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580032888.X

申请日：2015-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·C·南古伊

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/301

Abstract: 描述了用于划切半导体晶片的方法和设备，其中，每一个晶片具有多个集成电路。在示例中，等离子体蚀刻腔室包括设置在等离子体蚀刻腔室的上部区域中的等离子体源。等离子体蚀刻腔室也包括设置在等离子体源下方的阴极组件。阴极组件包括用于支撑基板载体的背侧的内侧部分的冷却RF供电的卡盘。阴极组件也包括冷却RF隔离的支撑件，所述Rf隔离的支撑件围绕所述RF供电的卡盘但与所述RF供电的卡盘隔离。所述RF隔离的支撑件用于支撑基板载体的背侧的外侧部分。

公开(公告)号：CN111315533B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN201880071755.7

申请日：2018-10-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·C·南古伊 ,  C·波拉德 ,  A·L·德阿姆巴拉

IPC: B24B57/02 ,  B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B49/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本公开的实施例提供了用于在CMP工艺期间检测在流体输送系统中的堵塞的设备以及在CMP工艺期间检测在流体输送系统中的堵塞的方法。具体而言，本文的实施例提供了一种分流器歧管，其经配置以实现监测设置在其中的抛光流体的压力。监测在分流器歧管中的流体压力实现检测在输送线和/或分配喷嘴中的堵塞，堵塞抑制和/或阻止通过其或从其的抛光流体流动。

公开(公告)号：CN111315533A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880071755.7

申请日：2018-10-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·C·南古伊 ,  C·波拉德 ,  A·L·德阿姆巴拉

IPC: B24B57/02 ,  B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B49/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本公开的实施例提供了用于在CMP工艺期间检测在流体输送系统中的堵塞的设备以及在CMP工艺期间检测在流体输送系统中的堵塞的方法。具体而言，本文的实施例提供了一种分流器歧管，其经配置以实现监测设置在其中的抛光流体的压力。监测在分流器歧管中的流体压力实现检测在输送线和/或分配喷嘴中的堵塞，堵塞抑制和/或阻止通过其或从其的抛光流体流动。