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公开(公告)号:CN105190843A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201480013052.0
申请日:2014-02-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32697 , H01J37/32935
Abstract: 本发明的实施例是关于在基板的等离子体处理期间用于改良等离子体分布的装置。根据实施例,该装置包括电耦接至可变电容器的调节环。该电容经控制以控制射频及所产生的等离子体与调节环的耦合。整个基板的等离子体分布及所产生的沉积薄膜厚度通过调整调节环处的电容及阻抗而得以相应地控制。
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公开(公告)号:CN103120032A
公开(公告)日:2013-05-22
申请号:CN201180045128.4
申请日:2011-08-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/50
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32183
Abstract: 本发明提供了一种系统与方法,该系统与方法在等离子体处理期间通过直接监测刚好到达等离子体处理腔室的射频供电电极之前的射频电流,用于检测等离子体的偏移,例如电弧、微电弧、或其它等离子体不稳定性。所监测的射频电流可被转换成射频电压并且随后传递通过一序列的模拟滤波器及放大器,以提供等离子体偏移信号。将该等离子体偏移信号和预设值相比较,且在等离子体偏移信号超过预设值时,产生警示信号。然后,该警示信号反馈回系统控制器,以使操作者可被警示和/或可将处理系统关闭。在一个实施例中,射频电流被放大并转换成数字信号以用于数字滤波及处理。在某些实施例中,多个处理区域可经由单一检测控制单元监测。
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公开(公告)号:CN104685608A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201380049420.2
申请日:2013-09-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor: J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 周建华 , R·萨卡拉克利施纳 , M·A·阿优伯 , 陈建
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/30 , H01J37/32091 , H01J37/32532
Abstract: 提供一种用于等离子体处理基板的装置。装置包含了处理腔室、设置于处理腔室里的基板支撑件,以及与处理腔室耦合的盖组件。盖组件包含了与电源耦合的导电性气体分配器。调节电极可设置在导电性气体分配器与腔室体之间用来调整等离子体的接地电路。第二调节电极可与基板支撑件耦合,且偏压电极亦可与基板支撑件耦合。
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