使用脉冲等离子体增强蚀刻选择性的方法

    公开(公告)号:CN116261768A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202280006278.2

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 本公开的实施例包括处理基板的方法,该方法包括蚀刻在等离子体处理腔室的处理区域内安置的基板支撑组件的基板支撑表面上安置的基板上形成的第一介电材料。蚀刻工艺可包括:将处理气体递送到处理区域,其中处理气体包含第一含氟碳气体及第一处理气体;通过使用射频产生器将射频信号递送到第一电极以在处理区域中形成等离子体;及通过使用第一脉冲电压波形产生器在基板支撑组件内安置的偏压电极处建立第一脉冲电压波形。第一脉冲电压波形包含一系列重复脉冲波形循环,这些重复脉冲波形循环各自包括在第一时间间隔期间出现的第一部分、在第二时间间隔期间出现的第二部分、及峰间电压。在第二时间间隔的至少一部分期间脉冲电压波形是基本上恒定的。

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