公开(公告)号：CN105283944B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201480033790.1

申请日：2014-04-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·L·多恩 ,  J·德拉罗萨 ,  H·诺巴卡施 ,  J·M·金

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651

Abstract: 提供可调谐环组件、具有可调谐环组件的等离子体处理腔室以及用于调谐等离子体工艺的方法。在一个实施例中，可调谐环组件包含：外陶瓷环所述外陶瓷环具有被暴露的顶表面和底表面；以及内硅环，所述内硅环经配置以与所述外陶瓷环配合以限定重叠区域，内硅环具有内表面、顶表面以及形成在内表面与顶表面之间的槽口，内表面限定环组件的内径，槽口的尺寸被设置为接受基板的边缘，内硅环的顶表面的外侧部经配置以在重叠区域中接触外陶瓷环的底表面的内侧部，并且位于外陶瓷环的底表面的内侧部下方。

公开(公告)号：CN105283944A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480033790.1

申请日：2014-04-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·L·多恩 ,  J·德拉罗萨 ,  H·诺巴卡施 ,  J·M·金

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651

Abstract: 提供可调谐环组件、具有可调谐环组件的等离子体处理腔室以及用于调谐等离子体工艺的方法。在一个实施例中，可调谐环组件包含：外陶瓷环所述外陶瓷环具有被暴露的顶表面和底表面；以及内硅环，所述内硅环经配置以与所述外陶瓷环配合以限定重叠区域，内硅环具有内表面、顶表面以及形成在内表面与顶表面之间的槽口，内表面限定环组件的内径，槽口的尺寸被设置为接受基板的边缘，内硅环的顶表面的外侧部经配置以在重叠区域中接触外陶瓷环的底表面的内侧部，并且位于外陶瓷环的底表面的内侧部下方。