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公开(公告)号：CN117581332A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280045629.0
申请日：2022-06-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 描述一种半导体处理方法，其包括将基板提供至反应腔室，其中基板包括具有顶表面和底表面的基板沟槽。包括含碳气体和含氮气体的沉积气体流至反应腔室的等离子体激发区域中。由沉积气体产生具有小于或约为4eV的电子温度的沉积等离子体。方法进一步包括在基板沟槽的顶表面和底表面上沉积含碳层，其中所沉积的含碳层具有大于或约为3:1的顶表面对底表面厚度比率。也描述一种半导体结构，其包括在至少第一沟槽和第二沟槽的顶表面和底表面上的所沉积的含碳层，其中含碳层具有大于或约为3:1的顶表面对底表面厚度比率。
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