公开(公告)号：CN108807125A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810410921.3

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王海涛 ,  A·侯塞因 ,  K·拉马斯瓦米 ,  J·A·肯尼 ,  J·路德维格 ,  张纯磊 ,  W·李

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开涉及处理腔室和递归分配连接器。本公开总体涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。所述设备包括可邻近静电卡盘定位的辅助电极。使用长度相等且阻抗相等的馈电线从电源递归地对辅助电极馈电。辅助电极是能够竖直地致动的，并且可相对于接地或负责等离子体产生的其他频率进行调谐。还提供了使用该设备的方法。

公开(公告)号：CN209266350U

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201820642742.8

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王海涛 ,  A·侯塞因 ,  K·拉马斯瓦米 ,  J·A·肯尼 ,  J·路德维格 ,  张纯磊 ,  W·李

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开涉及处理腔室。该处理腔室包括：腔室主体；基板支撑件，设置在所述腔室主体内，所述基板支撑件包括静电卡盘；递归分配组件，设置在所述基板支撑件内，所述递归分配组件包括具有相等长度的多个分叉电连接；边缘环组件，设置在所述基板支撑件内并耦接到所述递归分配组件，所述边缘环组件包括导电电极，所述导电电极与所述递归分配组件电接触；绝缘支撑件，定位在所述基板支撑件上，位于所述电极上方；以及第一硅环，设置在所述绝缘支撑件上。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利