公开(公告)号：CN102870236A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180019134.2

申请日：2011-03-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 崔东万 ,  迈克尔·P·斯图尔特 ,  徐理 ,  赫曼特·P·芒格卡 ,  森霍姆·帕克 ,  肯尼思·马克威廉姆斯

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的实施例包括太阳能电池与用于形成太阳能电池的方法。详言之，这些方法可用于在太阳能电池衬底上形成钝化/ARC层，该钝化/ARC层具有结合的功能与光学梯度特性。该方法可包括以下步骤：将第一处理气体混合物流进处理腔室内的处理空间；在处理腔室中在超过0.65w/cm2的功率密度下生成等离子体；在处理空间中在太阳能电池衬底上沉积含氮化硅界面子层；将第二处理气体混合物流进处理空间；以及在含氮化硅界面子层上沉积含氮化硅体子层。

公开(公告)号：CN101278380B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200680030938.1

申请日：2006-06-15

Applicant: 应用材料公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 曼杰·维莱卡尔 ,  赫曼特·P·芒格卡 ,  扬·S·李 ,  奥野康利 ,  汤浅浩

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274

Abstract: 提供了一种在置于衬底处理室中的衬底上沉积膜的方法所述衬底具有形成在相邻的凸起表面之间的间隙将第一前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室。由所述第一前驱体沉积气体流形成第一高密度等离子体，以利用同时具有沉积和溅射分量的第一沉积处理在所述衬底上和所述间隙内沉积所述膜的第一部分，直到所述间隙闭合之后为止。将所述膜的所述第一部分回蚀足够的部分，以使得所述间隙重新开口。将第二前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室。由所述第二前驱体沉积气体流形成第二高密度等离子体，以利用同时具有沉积和溅射分量的第二沉积处理在所述衬底上和所述重新开口的间隙内沉积所述膜的第二部分。

公开(公告)号：CN101278380A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680030938.1

申请日：2006-06-15

Applicant: 应用材料公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 曼杰·维莱卡尔 ,  赫曼特·P·芒格卡 ,  扬·S·李 ,  奥野康利 ,  汤浅浩

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274

Abstract: 提供了一种在置于衬底处理室中的衬底上沉积膜的方法。所述衬底具有形成在相邻的凸起表面之间的间隙。将第一前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室。由所述第一前驱体沉积气体流形成第一高密度等离子体，以利用同时具有沉积和溅射分量的第一沉积处理在所述衬底上和所述间隙内沉积所述膜的第一部分，直到所述间隙闭合之后为止。将所述膜的所述第一部分回蚀足够的部分，以使得所述间隙重新开口。将第二前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室。由所述第二前驱体沉积气体流形成第二高密度等离子体，以利用同时具有沉积和溅射分量的第二沉积处理在所述衬底上和所述重新开口的间隙内沉积所述膜的第二部分。