公开(公告)号：CN102884638A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180023055.9

申请日：2011-05-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 希曼特·芒格卡 ,  穆库·阿格瓦 ,  迈克尔·P·斯图尔特 ,  蒂莫西·W·韦德曼 ,  罗西特·米沙拉 ,  森霍姆·帕克

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明实施例大致提供在太阳能电池基板上形成多层背面钝化层的方法。方法包括在p-型掺杂区的背面上形成净电荷密度小于等于2.1x 1011库伦/平方厘米的氧化硅子层，该p-型掺杂区形成于包括半导体材料的基板中，并在氧化硅子层上形成氮化硅子层，而该背面与基板的光接收表面相反。本发明实施例还包括可根据本文所述方法制造的太阳能电池组件。

公开(公告)号：CN102870236A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180019134.2

申请日：2011-03-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 崔东万 ,  迈克尔·P·斯图尔特 ,  徐理 ,  赫曼特·P·芒格卡 ,  森霍姆·帕克 ,  肯尼思·马克威廉姆斯

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的实施例包括太阳能电池与用于形成太阳能电池的方法。详言之，这些方法可用于在太阳能电池衬底上形成钝化/ARC层，该钝化/ARC层具有结合的功能与光学梯度特性。该方法可包括以下步骤：将第一处理气体混合物流进处理腔室内的处理空间；在处理腔室中在超过0.65w/cm2的功率密度下生成等离子体；在处理空间中在太阳能电池衬底上沉积含氮化硅界面子层；将第二处理气体混合物流进处理空间；以及在含氮化硅界面子层上沉积含氮化硅体子层。