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公开(公告)号：CN115152001A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016019.3
申请日：2021-01-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 , 摩根·埃文斯 , 莫里斯·爱默生·佩普洛斯基 , 约瑟夫·C·奥尔森 , 托马斯·詹姆斯·索尔迪
IPC: H01J37/305 , H01J37/08 , G02B5/18
Abstract: 提供了一种方法。该方法包含：将设置在第一基板上的第一平面上的第一材料暴露至离子束，以在第一材料中形成第一多个结构，离子束以相对于第一基板的表面法线的离子束角θ引导至第一材料。第一基板被定位于离子束与第一多个结构的第一向量之间的第一旋转角φ1处，第一材料沿着第一方向递增地暴露至离子束，且第一材料对离子束的暴露沿着第一方向变化，以在第一方向中在第一多个结构之间产生深度变化。
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